王支国博士在挠曲电研究上取得新进展

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近日，我校材料科学与工程学院王支国博士通过引入氧空位缺陷，显著提高了介质材料的挠曲电系数，为深入理解挠曲电机理、设计高性能挠曲电材料与器件提供了新思路。

图1：(a) 室温下，线性电介质挠曲电系数的比较；(b) 空气氛围烧结和氧氛围退火的Ba5Nb4O15和Sr5Nb4O15陶瓷的挠曲电性能。

图2：挠曲电致缺陷偶极子重新取向示意图。(a) 在新鲜样品中，缺陷偶极子方向是随机排列的; (b) 在挠曲电场的作用下，缺陷偶极子向挠曲电场方向翻转。

        挠曲电是广泛存在于绝缘体、半导体甚至是金属材料中的力电耦合效应。对一般介质材料而言，挠曲电系数通常较小。材料科学与工程学院挠曲电材料研究小组发现，引入氧空位缺陷可显著提高介质材料的挠曲电系数和挠曲电耦合系数，相关工作可为深入理解挠曲电机理、设计高性能挠曲电材料与器件提供新思路。
       该工作得到了中央引导地方专项基金-优青培育项目、国家自然科学基金委面上项目以及南昌大学一流学科建设项目的支持。研究成果以Interplay of defect dipole and flexoelectricity in linear dielectrics为题，发表在材料领域知名期刊Scripta Materialia，材料科学与工程学院为第一单位和唯一通讯单位。
       论文第一作者为我院新进博士后王支国博士，王支国博士于2021年7月在重庆大学机械工程专业取得博士学位，2021年9月进入我校材料科学与工程博士后流动站工作（合作导师为舒龙龙教授），研究方向专注于多尺度铁电材料、半导体材料的共性力学问题，曾以主要作者身份在Nature Materials、Applied Physics Letters等杂志发表原创论文10余篇。
       论文链接：https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2021.114427

      文章来源：南昌大学