浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院材料研究室王佩剑研究组博士后招聘启事

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王佩剑研究员，2011年在北京大学元培学院获得物理学学士学位，2013年在美国University of Pennsylvania获得材料科学工程硕士学位，2018年在美国University of Massachusetts, Amherst获得物理学博士学位，随后在美国纽约州立大学Buffalo分校物理系做博士后研究，2020年加入浙江大学国际科创中心。近三年来在ACS Nano, Nano Lett., Appl.Phys.Rev., Adv.Mater., Chem. Sci.等国际权威期刊发表论文11篇(8篇一区)，其中第一作者/共同一作6篇，主持国家自然科学基金青年基金一项（在研），受邀为J. Magn. Magn. Mater.等杂志审稿。本研究组隶属于浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室，和研究室内其他方向上展开合作。该研究室在半导体材料专家杨德仁院士指导下开展工作，研究室主任是皮孝东教授。浙江大学杭州国际科创中心（以下简称科创中心）是新时代浙江大学和杭州市全面深化市校战略合作共建的重大科技创新平台，是浙江省打造“互联网+”、生命健康和新材料三大科创高地的重大标志性工程。目前科创中心先进半导体研究院正发展具有从材料到系统集成的全链条研发能力，拥有国际一流的大型仪器设备和超净实验室等研发设施。


招聘岗位及招聘条件
1.具有博士学位，品学兼优，身心健康；
2. 具有材料、物理、化学、微电子、光电等学科背景；
3.近三年曾作为第一作者至少发表了1 篇具有一定影响力的研究论文。
4.具有良好的团队合作意识和独立工作能力；


研究方向：
二维材料/宽禁带半导体前沿交叉方向
分支1, 侧重宽禁带半导体，材料生长与器件研究:


在二维材料上外延生长宽禁带半导体，材料表征和测试；异质界面生长动力学研究。
外延生长材料器件制作和探索；异质界面器件与物理
对二维材料、柔性电子学等方向有一定了解及有相关研究经历者更加欢迎；
分支2, 侧重二维材料, 二维材料生长方向:


大面积二维材料/薄膜（石墨烯、过渡金属硫族化物等）的生长，有相关经验者优先；新型二维材料的生长与探索；搭建生长设备等；
对宽禁带半导体方向有一定了解及有相关研究经历者更加欢迎；
分支3, 侧重二维材料, 二维材料异质界面的物理和化学方向:


从事二维材料/二维材料、二维材料/宽禁带半导体、二维材料/功能分子等异质界面上的物理和化学研究；探索电子学、光电或其他类型器件；
对宽禁带半导体方向有一定了解及有相关研究经历者更加欢迎
薪酬待遇
选择进入博士后工作站的研究人员原则上税前年薪不低于40万元人民币（含地方政府人才补贴）；获得国家自然科学基金、中国博士后科学基金和省级博士后科研项目资助者，杭州市、萧山区财政给予相应的配套资助；博士后出站后留科创中心工作，可享受杭州市、萧山区政府安家补助（杭州市博士后补贴政策：http://www.hangzhou.gov.cn/art/2020/5/21/art_1229051319_6951.html；萧山区人才补贴政策：https://xsrb.xsnet.cn/epaper/htm ... _79498_12443370.htm ）。
参与科创中心重大课题研究并取得显著成绩的，可获得额外资助或津贴。
提供一流的实验与科学研究条件。
提供萧山区人才公寓或科创中心公寓。
符合杭州市有关规定的，协助解决杭州市集体户口；
在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务。
符合杭州市高层次人才标准的，可协助解决子女入园入托问题。
应聘流程
申请材料


1. 个人简历：学习工作经历、主要研究工作内容等；
2．表明申请人研究能力和学术水平的成果（如学术论文、专利、获奖情况等）；


联系方式
联系人： 王老师
电话： 18705891806
邮箱： pjwangpku@126.com


或 王姝娴 研究助理
电话： 0571-82395227；18067909310
邮箱：ivsemitek@163.com