深圳大学高等研究院周晔

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周晔，深圳大学高等研究院研究员，SCI期刊STAM (JCR1区)、 Applied Nanoscience (JCR2区)以及IEEE ACCESS（JCR1区）副主编，研究兴趣包括基于功能材料的信息存储与传感。在Science、 Nat. Commun.、Chem. Rev.、Adv. Mater.、Mater. Today、Adv. Funct. Mater.、Mater. Horiz.、ACS Nano等国际权威期刊发表高水平论文100余篇，其中封面/卷首文章近40篇，被Nature、Science正刊及其子刊等国际期刊引用2700余次， H-因子28，拥有授权的美国发明专利3项，授权的中国发明专利9项。曾入选“广东省特支计划科技创新青年拔尖人才”，长期担任AAAS、Springer Nature、ACS、Wiley、RSC、IOP、IEEE、Elsevier旗下期刊审稿人，被评为科睿唯安2018年顶级审稿专家，曾任Frontiers in Chemistry (JCR2区)、Polymer International (JCR2区)、Frontiers in Physics (JCR2区) 客座编辑，目前担任Materials Horizons(JCR1区)青年顾问委员会委员、Chemistry创刊编委、PLOS ONE(JCR2区) 编委、 Multifunctional Materials(英国物理学会)青年编委。


周晔
博士，研究员
联系方式：yezhou@szu.edu.cn
通讯地址：深圳市南山区南海大道3688号深圳大学办公楼358室, 518060
课题组主页：http://www.escience.cn/people/FMEG/index.html


教育背景
2013年,香港城市大学,物理与材料科学,博士
2009年,香港科技大学,电子工程,硕士
2008年,南京大学,电子信息科学与技术,学士


工作经历
2015年6月 至今，深圳大学高等研究院研究员
2013年8月 至 2015年5月，香港城市大学物理与材料科学系以及毫米波国家重点实验室，历任博士后、研究员、资深研究员
2009年6月 至 2009年8月,香港城市大学物理与材料科学系,助理研究员


代表性论文 （2018-2020）
1.Semiconductor Quantum Dots for Memories and Neuromorphic Computing Systems, Chem. Rev. 2020 (通讯作者)
2.Room-temperature magnetoelastic coupling, Science 2020, 367, 627. (第一作者)
3.Optically Modulated Threshold Switching in Core-Shell Quantum Dot Based Memristive Device, Adv. Funct. Mater. 2020, 30, 1909114. (通讯作者)
4.2D Metal-Organic Framework Nanosheets with Time-Dependent and Multi-Level Memristive Switching, Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1806637. (通讯作者)
5.Bio-inspired Artificial Sensory Nerve based on Nafion Memristor, Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1808783. (通讯作者)
6.Fully Photon Modulated Heterostructure for Neuromorphic Computing, Nano Energy 2019, 65, 104000. (通讯作者)
7.Mimicking Neuroplasticity in a Hybrid Biopolymer Transistor by Dual Modes Modulation, Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1902374. (通讯作者)
8.Tunable Synaptic Behavior Realized in C3N Composite based Memristor, Nano Energy 2019, 58, 293. (通讯作者)
9.Recent Advances in Ambipolar Transistors for Functional Applications, Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1902105. (通讯作者)
10.Light Driven Active Transition of Switching Modes in Homogeneous Oxides/Graphene Heterostructure, Adv. Sci. 2019, 6, 1900213. (通讯作者)
11.From biomaterials-based data storage to bio-inspired artificial synapse, Mater. Today 2018, 21, 537. (通讯作者)
12.Infrared‐Sensitive Memory Based on Direct‐Grown MoS2–Upconversion‐Nanoparticle Heterostructure, Adv. Mater. 2018, 30, 1803563. (通讯作者)
13.Synergies of Electrochemical Metallization and Valance Change in All‐Inorganic Perovskite Quantum Dots for Resistive Switching, Adv. Mater. 2018, 30, 1800327. (通讯作者)
14.Photo-Tunable Biomemory based on Light-Mediated Charge Trap, Adv. Sci. 2018, 5, 1800714. (通讯作者)
15.Photonic Synapses Based on Inorganic Perovskite Quantum Dots for Neuromorphic Computing, Adv. Mater. 2018, 30, 1802883. (通讯作者)
16.Evolutionary Metal Oxide Clusters for Novel Applications: Toward High-Density Data Storage in Nonvolatile Memories, Adv. Mater. 2018, 30, 1703950. (通讯作者)
17.Gate‐Tunable Synaptic Plasticity through Controlled Polarity of Charge Trapping in Fullerene Composites, Adv. Funct. Mater. 2018, 28, 1805599. (通讯作者)

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近日，国际知名出版社Wiley公布了旗下数据库2018-2019 TOP DOWNLOADED PAPER，高等研究院周晔研究员课题组有7篇论文入选。


入选论文名单如下：
1. Y. Ren, X. Yang, L. Zhou, J.-Y. Mao, S.-T. Han* and Y. Zhou,* Recent Advances in Ambipolar Transistors for Functional Applications, Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1902105. （文章第一作者：任意，高等研究院2014级本科生，2018级硕士生）
2. Z. Wang, S.-R. Zhang, L. Zhou, J.-Y. Mao, S.-T. Han,* Y. Ren, J.-Q. Yang, Y. Wang, Y. Zhai and Y. Zhou,* Functional Non-Volatile Memory Devices: From Fundamentals to Photo-Tunable Properties, Phys. Status Solidi RRL 2019, 13, 1800644. （文章第一作者：王展鹏，高等研究院2015级本科生，2019级硕士生）
3. S.-R. Zhang, L. Zhou, J.-Y. Mao, Y. Ren, J.-Q. Yang, G.-H. Yang, X. Zhu, S.-T. Han,* V. A. L. Roy* and Y. Zhou,* Artificial Synapse Emulated by Charge Trapping‐Based Resistive Switching Device, Adv. Mater. Technol. 2019, 4, 1800342. （文章第一作者：张仕锐，高等研究院2015级本科生）
4. G. Ding, Y. Wang, G. Zhang, K. Zhou, K. Zeng, Z. Li, Y. Zhou,* C. Zhang, X. Chen and S.-T. Han,* 2D Metal-Organic Framework Nanosheets with Time-Dependent and Multi-Level Memristive Switching, Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1806637. （文章第一作者：丁光龙博士，高等研究院副研究员）
5. J.-Y. Mao, L. Zhou, X. Zhu, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Photonic Memristor for Future Computing: A Perspective, Adv. Opt. Mater. 2019, 7, 1900766. （文章第一作者：毛靖宇，高等研究院2014级本科生，2018级硕士生）
6. Y. Ren, C.-L. Chang, L.-Y. Ting, L. Zhou, J.-Y. Mao, S.-R. Zhang, H.-H. Chou,* J.-Q. Yang, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Flexible Pyrene/Phenanthro[9,10-d]imidazole-based Memristive Devices for Mimicking Synaptic Plasticity, Adv. Intell. Syst. 2019, 1, 1900008. （文章第一作者：任意，高等研究院2014级本科生，2018级硕士生）
7. L. Zhou, J. Mao, Y. Ren, S.-T. Han,* V. A. L. Roy* and Y. Zhou,* Recent Advances of Flexible Data Storage Devices Based on Organic Nanoscaled Materials. Small 2018, 14, 1703126. （文章第一作者：周黎博士，深圳大学副研究员）

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深圳大学高等研究院的周晔研究员近期在国际顶级期刊Chemical Reviews（影响因子 54.301）发表了长篇综述论文，且该综述当选为本期的正封面论文，标题是Semiconductor Quantum Dots for Memories and Neuromorphic Computing Systems。
        近年来，数据存储和处理需求的持续增长刺激了高性能存储技术和受大脑启发的神经形态硬件的发展。半导体量子点为这些应用提供了一种有吸引力的选择，因为它们既结合了出色的电学、光学特性和结构稳定性，又可以满足低成本、大面积的制造技术的要求。周晔研究员的这篇综述专注于基于量子点的非易失性存储器和神经形态计算系统的开发。文章介绍了量子点的最新进展，重点介绍其在设计未来电子设备时的独特电学和光学功能，并讨论了传统闪存和新兴忆阻器中量子点的优点。同时，文章也回顾了基于量子点的神经形态器件的进展，强调了它在商业应用上面临的主要挑战，并提出了后硅时代的未来发展方向。

       该研究工作获得了国家自然科学基金面上项目、广东省科技厅、深圳市科创委等项目的资助。周晔研究员的团队副研究员吕子玉博士以及王燕博士为共同第一作者，高等研究院2016级本科生陈锦锐以及电子与信息工程学院研究生王俊杰也参与了该项工作，高等研究院周晔研究员与微纳光电子学研究院韩素婷副教授为通讯作者，深圳大学为该论文的唯一完成单位。
        论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.chemrev.9b00730