Nature：锂在不同范德华层的各个原子界面层面的电子插层

youxiangfeng

电化学能量储存的基础是在分子层面控制电子和离子电荷的累积量。层状范德华晶体是一系列多元化的材料，流动离子可以电化学嵌入到主体原子晶格的层间间隙中。这种材料的结构多样性使复合材料的界面性能得以优化，以改善能量存储和电子器件的离子插层。然而，异质层修饰插层反应的能力及其在原子水平上的应用尚待阐明。

北京时间2018年6月21日，Nature在线发表了哈佛大学Philip Kim（通讯作者）团队题为“Heterointerface effects in the electrointercalation of van der Waals heterostructures”的文章，研究使用透射电子显微镜，原位磁阻和光谱学技术，以及低温磁场量子振荡测量和从头计算法，演示了锂在不同范德华层的各个原子界面层面的电子插层。构建了基于堆叠六方氮化硼，石墨烯和钼硫族化合物（MoX2; X = S，Se）层的范德华异质结构的电化学装置。石墨烯和MoX2之间形成的范德华异质界面，相比MoX2 / MoX2同质界面，MoX2中电荷的积累量增加了十倍以上，并且强化了至少0.5V的插层电势。超越能量存储，结合实验和计算方法操纵和表征分层系统电化学行为，研究开辟了控制二维电子和光电子器件中电荷密度的新途径。