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全无机铯-铅卤化物钙钛矿太阳能电池（CsPbX3，X = I，Br，Cl）因其优异的光电性能和热稳定性而受到越来越多的关注，其中CsPbI3钙钛矿可以承受超过300℃的高温条件，同时由于其黑色立方相结构具有适宜的光学带隙（1.73 eV），在作为钙钛矿/硅叠层太阳能电池的顶电池方面很有应用前景。但是，CsPbI3钙钛矿自身的Goldschmidt容忍因子(~0.81)较低，导致黑色立方相结构在室温、大气环境下极易转变为光电性能较差的黄色正交相。为提高CsPbI3钙钛矿的相稳定性，研究人员已经开发了众多有效的策略，目前常用的一种方法便是进行卤素取代。使用更小的Br-部分取代I-，增大Goldschmidt容忍因子，达到稳定立方钙钛矿相的作用。可是另一方面，混合卤化物钙钛矿对光诱导的卤化物偏析非常敏感，光照下易发生离子迁移，进而产生I富集与Br富集，使得电池器件性能下降；同时空穴传输材料Spiro-OMeTAD中的掺杂剂（TBP、Li+）对器件性能稳定也具有不利作用，因此急需寻找简便有效的方法来解决全无机混合卤化物钙钛矿的光诱导降解问题，进一步为实现市场应用做准备。 PN4N和PDCBT双界面协同钝化CsPbI2Br钙钛矿薄膜
以上成果发表在Advanced Materials上。论文的第一作者为华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室硕士研究生生田晶晶，通讯作者为叶轩立教授和薛启帆副研究员。
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发表于 2019-4-17 17:05:02
