中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所樊士钊

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樊士钊，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员、硕士生导师。2016年毕业于加拿大麦吉尔大学，随后在美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校从事博士后研究。2020年进入中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所Nano-X真空互联实验站工作。在Adv. Energy Mater.、Nano Lett.、Sol. Energy Mater. Sol. Cells等期刊发表论文30篇以上。主要研究领域包括：硅基III-V族异质外延、III-V/Si多节太阳能电池、量子点激光器、III-N纳米结构等，论文总引用860余次，H因子为16，并多次在IEEE光伏专家会议上作报告。


姓　　名：        樊士钊
职　　称：        项目研究员
学　　历：        博士研究生
电　　话：        0512-62872535
通讯地址：        苏州工业园区若水路398号
电子邮件：        szfan2020@sinano.ac.cn
简历：
　　2011年6月获得中国科学技术大学电子工程与信息科学系(6系)学士学位。2016年11月获得麦吉尔大学(McGill University)博士学位。2016年9月至2020年8月，在伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校(UIUC)从事博士后研究。2020年9月任中科院苏州纳米所项目研究员。
　　研究方向主要包括：（1）III-V族化合物半导体光电子材料生长与器件工艺，通过发展材料外延生长方法，获得高质量的硅基III-V族半导体薄膜材料及纳米结构，结合新型器件工艺技术，实现高效的III-V/Si叠层太阳能电池、半导体光电极催化产氢器件、量子点激光器、AlGaN基深紫外发光二极管；（2）金属氧化物半导体薄膜的合成方法、光电性质及其在有机无机杂化钙钛矿材料与晶体硅材料级联的叠层太阳能电池中的应用。
　　迄今已在国际知名学术期刊和重要学术会议上发表26篇期刊论文和7篇会议论文，其中以第一作者和通讯作者在Advanced Energy Materials、Nano Letters、Solar Energy Materials and Solar Cells等期刊上发表8篇期刊论文，另有4篇第一作者和通讯作者的会议论文被IEEE光伏专家会议(IEEE Photovoltaic Specialist Conference)收录，并获得1项美国发明专利授权。


研究领域：
　　1. AlGaN深紫外发光二极管；
　　2. 有机无机杂化钙钛矿材料与晶体硅材料级联的叠层太阳能电池；
　　3. 硅基III-V族化合物半导体激光器（片上光源）；
　　4. 硅基光电极催化产氢器件。