李晔飞和刘智攀确定了场效应晶体管中Si/SiO2界面的极限最小稳定结构

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发布时间: 2022-5-9 14:00

场效应晶体管（FET）是半导体芯片的核心部件，其尺寸大小决定了芯片的集成密度。而FET晶体管的终极物理尺寸，很大程度上取决于在栅极处Si/SiO2界面的结构和性能：界面的尺寸过大会导致集成度降低，芯片性能下降；界 ...

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