华中科技大学材料学院材料科学与技术系翟天佑

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华中科技大学翟天佑教授和周兴等人等人使用强O2等离子体处理来增强型SnS2基器件的光电性能，通过有目的地引入更多的载流子陷阱（缺陷）以增强其（光）载流子活性。通过实验研究和第一性原理计算，解释了处理过的SnS2能带结构变化的基本物理原理。在O2等离子体处理过程中，SnS2薄片的表面被蚀刻，同时注入了氧原子。因此，构建的基于O2等离子体处理的SnS2基器件在从紫外线覆盖整个可见光范围（300-750 nm）的宽带光敏化方面表现出了显著的改善。特别是在350 nm的光照下，经O2等离子体处理的SnS2光电探测器显示出从385到860 AW-1的增强光响应，外部量子效率从1.3×105％到3.1×105％，比检测率从4.5×109到1.1×1010琼斯（Jones）以及将上升（τr）和衰减（τd）时间分别从12和17 s改进为0.7和0.6 s的光开关响应。因此，这种简单的方法可以作为一种可靠的技术来提高某些2D电子材料和光电子材料的性能。相关成果以题为“Giant‐Enhanced SnS2 Photodetectors with Broadband Response through Oxygen Plasma Treatment”发表在了Adv. Funct. Mater.上。

文献链接：Giant‐Enhanced SnS2 Photodetectors with Broadband Response through Oxygen Plasma Treatment（Adv. Funct. Mater.， 2019，DOI:10.1002/adfm.202001650）