微电子所在阻变存储器与铁电FinFET研究中取得进展

查看数: 338 | 评论数: 0 | 收藏 0

关灯 | 提示：支持键盘翻页<-左右->

发布时间: 2018-12-11 16:34

2018国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。　　对于新型存 ...

GMT+8, 2024-5-4 03:24 , Processed in 0.075611 second(s), 33 queries .

		自动登录	找回密码
密码			立即注册

回复