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最近,2D三元材料由于化学计量比易于调控,其物理性质随之发生变化,引起了越来越多的关注。其中,三元Ga2In4S9是具有弱范德华相互作用的层状n型半导体材料,具有优越电子特性,即光敏性(约2.7 eV的宽带隙)以及随温 ...
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