焦丽颖：高选择性制备1T’相单层MoS2

查看数: 712 | 评论数: 0 | 收藏 0

关灯 | 提示：支持键盘翻页<-左右->

发布时间: 2018-11-1 14:58

研究亮点：通过理论计算设计前驱体，并调节CVD气氛一步选择性合成2H及1T’相的MoS2单分子层薄膜及双层膜。研究背景二维MoS2是过渡金属硫化物中的一种典型复相材料。三棱柱型（2H型）MoS2是热力学稳定相，可用作超薄 ...

GMT+8, 2024-5-13 06:09 , Processed in 0.079091 second(s), 37 queries .

		自动登录	找回密码
密码			立即注册

回复