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[材料资讯] 三元杂原子 (Ge, N, P) 掺杂提高石墨烯电催化氧气还原性能

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发表于 2018-1-20 09:34:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

        氧还原反应 (ORR) 在电化学能源储存与转换系统中扮演着重要角色,但其过程中的缓慢动力学阻碍了储能设备的广泛使用。迄今为止,Pt基纳米材料是性能最优异的ORR电催化剂,但是其含量稀少且价格昂贵,大大限制了以ORR催化过程为核心的能源储存和转换系统的广泛应用。因此,人们迫切寻找具有高催化活性和循环稳定性的非Pt基ORR催化剂。近年来,杂原子掺杂的石墨烯材料由于具有良好的ORR电催化活性,被广泛研究。其中,N、P、S等原子的掺杂最受关注,这是因为杂原子掺杂可以在石墨烯基面产生缺陷,从而将完美石墨烯的能带隙被打开,进而提高其电化学的性能。但是现在的单原子掺杂的石墨烯材料能带隙值相对较大,电荷的传输速率较慢,因此催化效果仍然不够令人满意。最近研究发现,相较于单原子掺杂,(N,Ge) 和 (P,Ge) 等两元掺杂的石墨烯材料,可以更有效地以减小能带隙值,提高电荷传输速率和其优化构型表现出高稳定性。但是由于两元掺杂的材料的功函数相对比较大,电子难以从表面逸出,其催化性能依然无法与Pt基材料相媲美。

         近日,青岛大学环境科学与工程学院杨东江教授课题组在Science Bulletin上发表题为“How heteroatoms (Ge, N, P) improve the electrocatalytic performance of graphene: Theory and Experiment”的通讯文章,通过密度泛函理论 (DFT) 计算详细地研究了 (Ge, N, P) 三元掺杂的石墨烯催化剂的ORR反应路径,并考虑了溶剂效应的影响。该模型通过电子密度图、形成焓、态密度 (DOS),Bader电荷等对掺杂后石墨烯的电子结构进行表征和分析,并采用中间吸附种类的吸附能对设计模型的ORR反应路径进行解析。计算发现在考虑溶剂效应的情况下,水分子的氢键有助于中间产物的吸附,减小反应动力学的能垒,提高其吸附能力。同时,依据吉布斯自由能图可知三元掺杂后的石墨烯A-GeN2P2和I-GeN2P2分别表现出0.33 eV和0.39 eV的过电势,明显小于两元掺杂石墨烯材料Ge-N4 (0.65 eV) 和 Ge-P4 (0.74 eV)。因此,(Ge, N, P) 三元掺杂石墨烯材料的ORR催化性能好。在理论计算的基础上,通过高温焙烧法成功将 (Ge, N, P) 掺杂进石墨烯中,合成了锗-氮-磷基 (Ge-N-P-rGO) 系列催化剂。采用面扫元素分布图 (EDS mapping), X射线光电子能谱 (XPS) 等表征方法对催化剂的表面组成成分及化学键进行表征,利用线性伏安法扫描等方法对催化剂活性性能进行测试。结果显示三元掺杂的石墨烯 (Ge-N-P-rGO) 的ORR催化活性明显优于二元掺杂的石墨烯 (Ge-N-rGO和Ge-P-rGO)。Ge-N-P-rGO的极限电流密度达到−5.1 mA/cm−2,起始电压 (Eonset) 约为0.94 eV,半波电压 (E1/2) 约为0.84 eV, 都非常接近商业化的Pt/C催化剂。


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