中科院苏州纳米所孙钱

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孙钱，现任中科院苏州纳米所研究员、博导，器件部副主任，美国耶鲁大学博士，国家优秀青年自然科学基金获得者，国家技术发明一等奖获得者。 2002年提前一年从中国科技大学毕业，获材料物理理学学士和计算机科学与技术工程学士双学位，并荣获郭沫若校长奖。同年以全系第一名的成绩免试推荐到中科院半导体所攻读硕士学位。2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造，于2009年获得博士学位，并荣获耶鲁大学工学院五个系每年唯一的优秀博士毕业生奖Becton奖。博士毕业后在耶鲁大学电子工程系任Associate Research Scientist。2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司Bridgelux Inc.，任Epi R&D Scientist，负责8英寸硅衬底GaN基高效LED的外延研发。，2012年入选江苏省“双创人才”计划和苏州工业园区“金鸡湖双百人才”，2015年被评为中国电子学会优秀科技工作者。


姓 名:孙钱        
性    别:男
职 务:
职    称:研究员
学 历:博士研究生        
通讯地址:苏州工业园区若水路398号
电 话:0512-62872721        
邮政编码:215123
传 真:
电子邮件:qsun2011@sinano.ac.cn

迄今为止，在Nature Photonics、Nanotechnology、Applied Physics Letters等期刊上发表了70余篇被SCI收录的学术论文，总引用800余次。参与编写了英文专著一章，是20余项美国和中国发明专利的发明人，其中一项已许可给韩国首尔半导体Seoul Semiconductor公司量产LED。曾受国际氮化物会议ICNS、IWN、ICMOVPE、WLED、China SSL、Semicon Taiwan LED等国际会议邀请作特邀报告。此外，还应邀为Nano Letters、Nanotechnology、 Applied Physics Letters等多家国际学术期刊评审论文。目前为国家科技部863计划课题、国家自然科学基金重点项目、工信部电子信息产业发展基金项目、江苏省科技成果转化专项、江苏省科技支撑计划项目、及苏州市科技计划项目等的负责人。
　　十余年以来一直致力于宽禁带半导体GaN基材料生长及新型高效LED、激光器、GaN基功率电子器件等的研发与产业化。
　　（1）在美国硅谷的普瑞光电公司工作期间，在8英寸硅衬底上实现了160流明/瓦的高光效GaN基LED。普瑞光电公司已将该技术转售给日本东芝公司，获技术转让费逾1亿美元。回国后与晶能光电有限公司进行产学研实质性合作，兼任公司硅衬底GaN基LED研发副总裁，带领团队成功研发出新一代硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片工艺技术，并在全球率先成功产业化，2014年晶能光电基于该技术而新增的LED产品销售逾3亿人民币（毛利率逾40%），打破了国际上基于蓝宝石和碳化硅衬底的LED技术专利对我国的封锁。孙钱博士因此荣获2016年国家技术发明一等奖。
　　（2）2015年实现了国际上第一支硅衬底GaN基蓝紫光激光器（氮化物半导体的另一种重要光电器件）的电注入室温连续激射，有望大幅降低GaN基激光器的制造成本，加速推进我国激光显示与激光照明等战略新兴产业发展，而且还为硅基光电集成提供了一种新的技术路线。部分成果已发表在Nature Photonics
　   （3）在Si衬底氮化物电力电子方面，孙钱研究员的课题组研发的硅基氮化物外延材料的击穿电压已突破1500V，并且通过P型栅实现了增强型电力电子器件，将推进我国第三代半导体电力电子器件的产业化进程。
　 招生（及招聘）方向：半导体材料与器件、材料物理、物理、光电子、微电子等。

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氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点。
　　相比于横向功率电子器件，GaN纵向功率器件能提供更高的功率密度/晶圆利用率、更好的动态特性、更佳的热管理，而大尺寸、低成本的硅衬底GaN纵向功率电子器件吸引了国内外众多科研团队的目光，近些年已取得了重要进展。

　　中科院苏州纳米所孙钱研究团队先后在漂移区的掺杂精准调控、器件关态电子输运机制及高压击穿机制、高性能离子注入保护环的终端开发等核心技术上取得突破，曾经研制出关态耐压达603V、器件的Baliga优值（衡量器件正反向电学性能的综合指标）为0.26GW/cm2的硅衬底GaN纵向肖特基势垒二极管，相关指标为公开报道同类型器件的最佳值（IEEE Electron Device Letters, vol. 42, no. 4, pp. 473-476, Apr 2021; Applied Physics Letters, vol. 118, no. 24, 2021, Art. no. 243501; IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 11, pp. 5682-5686, 2021）。
　　在前期工作基础上，近期团队基于6.6 μm厚、穿透位错密度低至9.5 x 107 cm-3的高质量硅基GaN漂移区材料（为公开报道器件中的最低值），成功研制了1200 V的pn功率二极管。器件的理想因子低至1.2；在反向偏置电压为1000 V的条件下，器件在温度为175 oC的工作环境，仍然能正常工作，10次功率循环的测试表明器件具有较佳的可靠性，且受偏置电压和导通时间影响的动态导通电阻降低现象得到了研究，相关工作以1200-V GaN-on-Si Quasi-Vertical p-n Diodes为题发表于微电子器件领域的顶级期刊IEEE Electron Device Letters 43 (12), 2057-2060 (2022)，第一作者为中科院苏州纳米所特别研究助理郭小路博士，通讯作者为孙钱研究员和特别研究助理钟耀宗博士。
　　上述研究工作得到了国家重点研发计划项目、国家自然科学基金项目、中国科学院重点前沿科学研究计划、江苏省重点研发计划项目等资助。