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曾雄辉，中科院苏州纳米所研究员。2005年于中国科学院上海光学精密机械研究所获材料学博士学位，2005年至2007年在清华大学从事博士后研究。2007年6月加入苏州纳米所。一直从事晶体材料（无机晶体、有机晶体）的微结构和光电特性表征研究，尤其以透射电子显微镜、扫描电子显微镜、阴极荧光谱、光致发光谱为主要表征工具。先后主持国家自然科学基金，江苏省自然科学基金，中国科学院仪器设备功能开发项目等多个科研项目。在Crystal Growth and Design, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics等国际刊物上发表SCI收录论文30余篇，主持申请专利近10项。
简历：
姓 名:曾雄辉
性 别:男
职 务:
职 称:研究员
学 历:博士研究生
通讯地址:苏州工业园区若水路398号
电 话:
邮政编码:215123
传 真:
电子邮件:xhzeng2007@sinano.ac.cn
研究领域：
1、III族氮化物（GaN, AlN, AlGaN）宽禁带半导体材料
2、电子显微分析
专利成果
（ 1 ） 一种制备有机半导体材料红荧烯微/纳米线的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL200810243123.2
（ 2 ） 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010017134.6
（ 3 ） 分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL 201010017135.0
发表论文
（1） Nanoscale Anisotropic Plastic Deformation in Single Crystal GaN, Nanoscale Research Letter, 2012, 第 11 作者
（2） Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation, Applied Physics Letters, 2011, 第 11 作者
（3） Growth Mechanism of Large-Size Rubrene Single Crystals Grown by a Solution Technique, Japannese Journal of Applied physics, 2010, 第 11 作者
（4） Growth mechanism of large-size anthracene single crystals grown by a solution technique, Journal of Crystal Growth, 2009, 第 11 作者
（5） Homoepitaxy growth of well-ordered rubrene thin films, Crystal Growth and Design, 2008, 第 1 作者
科研项目
（ 1 ） 基于提高稀土掺杂SiAlON荧光材料发光效率的微结构调控研究, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
（ 2 ） 应用于阴极荧光/电子束诱导感生电流测试的多功能样品台研制及相关实验新方法研究, 主持, 国家级, 2013-01--2014-12
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发表于 2017-9-28 09:13:45
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