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[专家学者] 南昌大学材料学院黄海宾

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发表于 2017-9-2 08:32:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
黄海宾
本科-博士 : 南京航空航天大学 材料学院,本硕博连读 2001-2010
材料科学与工程学院 / 光伏研究院 副教授,硕士生导师。
主要研究兴趣:
晶硅异质结太阳电池、新型器件结构的硅基太阳电池,包括器件结构的设计、模拟分析及制备研究;半导体薄膜制备技术。
当前主要研究课题:
-双层发射极掺氧钝化晶硅异质结太阳电池技术,江西省重点研发计划-技术引进与合作研究-重点项目
-“新型节银主栅结构与技术”配套的组件焊接、封装工艺设计优化,江苏省科技厅
- 热丝CVD法制备用于晶硅异质结太阳电池的a-SiOx:H薄膜研究,江苏省能量转换材料重点实验室
-双层发射极与双层背电场结构的晶硅异质结太阳电池的设计与可控构筑(国家自然科学基金 青年基金)。
- 晶硅异质结太阳电池的新型钝化层材料的研究(教育部博士点新教师基金,已结题)
-a-Si:H/c-Si基异质结能带结构的可控调制研究(江西省教育厅)
硅基太阳电池以其无可比拟的优势占据太阳能光伏发电市场的领导地位。结合光伏器件光电转换理论及器件工作理论基础,创新其器件结构,提高硅基太阳电池的转换效率,进一步降低其发电成本,是推进太阳电池光伏发电普及应用的根本。欢迎各方同道交流合作,为太阳能光伏发电这一新能源产业贡献一份力量。           
haibinhuang@ncu.edu.cn
发表文章:
[1] 黄海宾,周慧敏,丁晶,周浪. 高方块电阻发射极晶硅太阳电池计算模拟研究,中国科技论文在线。http://www.paper.edu.cn/html/releasepaper/2012/03/647/
[2] Jiren Yuan, Honglie Shen, Haibin Huang and Xinhua Deng. Positive or negative gain: Role of thermal capture cross sections in impurity photovoltaic effect [J]. Journal of Applied Physics. 2011, 110: 104508.
[3] 龚洪勇,周浪,黄海宾,向昱任,汪已琳,张东华,高江,崔冶青. PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究. 太阳能, 2013,(1):32-34.
[4] 黄海宾,张东华,汪已琳,龚洪勇,高江,Wolfgang R. Fahrner, 周浪。α-SiOx:H钝化Cz-Si表面的工艺优化与机制分析[J].功能材料,2014, 45(9):9101-9103。
[5] Jiren Yuan, Honglie Shen, Lang Zhou, Haibin Huang, Naigen Zhou, Xinhua Deng, Qiming Yu. Impurity photovoltaic effect in silicon solar cells doped with two impurities. Opt. Quant. Electron. 2014,46:1457-1465. D O I 1 0 . 1 0 0 7 / s 1 1 0 8 2 - 0 1 3 - 9 8 5 9 - x
[6] HUANG Haibin, SHEN Honglie, WU Tianru, LU Linfeng, TANG Zhengxia, SHEN Jiancang. Properties of boron-doped μc-Ge:H films deposited by hot-wire CVD. Journal  of  Wuhan  University  of  Technology-Mater. Sci. Ed. Vol.30, No.3(2015):516-519。
[7] Yuan Ji-Ren, Shen Hong-Lie, Zhou Lang, Huang Hai-bin, Zhou Nai-Gen, Deng Xin-hua and Yu Qi-Ming. β–FiSi2 as the bottom absorber of triple-junction thin-film solar cells: A numerical study. Chin. Phys. B, Vol.23, No.3(2014),038801.
[8] HUANG Haibin, GAO Jiang, Wolfgang R. Fahrner, ZHOU Lang. Theoretical analysis of the double-layer emitter with different doping concentrations for a a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells. 中国科技论文在线. http://www.paper.edu.cn/html/releasepaper/2014/04/282/
[9] 何玉平,黄海宾*,龚洪勇,周浪. a-Si:H基薄膜中SiH及SiH2键构成对n型直拉单晶硅片钝化效果的影响研究. 真空科学与技术学报,2015,35(8):970-974. (EI)
[10] 龚洪勇, 黄海宾,高江,周浪*. 低速率沉积非晶硅薄膜钝化Cz-Si片的研究 [J]. 太阳能学报,. 2015, 36(3):529-533 (EI)
[11] 龚洪勇, 黄海宾, 周浪*. 晶体硅金字塔绒面结构圆化对其光反射率和非晶硅薄膜钝化效果的影响[J].人工晶体学报. 2015,44(4):913-917. (EI)
[12] 宁武涛,何玉平,黄海宾*,周浪。热丝电流对HWCVD制备a-Si:H膜结构及钝化效果的影响. 半导体技术, 2015,40(8):606-610.(中文核心)
[13] 何玉平,黄海宾*,周浪,宁武涛,李丹. HWCVD工艺参数对a-Si:H薄膜结构及其对单晶硅片钝化性能的影响研究. 功能材料,2015,46卷,22期:22067-22070. (EI)
[14] Yuping He, Haibin Huang*, Lang Zhou, Zhihao Yue, Jiren Yuan. Effect of substrate temperature and post-deposition annealing on intrinsic a-SiOx:H film for n-Cz-Si wafer passivation. Journal of Materials Science: Materials in Electronics (JMSE). 2016, 27(5): 4659-4664. DOI: 10.1007/s10854-016-4344-5(SCI)
[15] Huang Haibin, Yue Zhihao, He Yuping, Yuan Jiren, Zeng Xiaoxing, Zhou Naigen, Zhou Lang. Formation of epitaxial heavy-doped silicon films by PECVD method. Journal  of  Wuhan  University  of  Technology-Mater. Sci. Ed. Accepted(SCI源刊).
[16] Haibin Huang, Gangyu Tian, Tao Wang, Chao Gao, Jiren Yuan, Zhihao Yue, Lang Zhou*. Analysis on the double-layer a-Si:H emitter with different doping concentrations for a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells. Frontiers in Energy. 2017,11(1):92-95. DOI 10.1007/s11708-016-0432-8(核心源刊,EI收录)
[17] Yue Zhihao,……… Huang Haibin.Study on the effect of intrinsic electrical resistivity of silicon materials on its performance for Li-ion batteries. Materials Letters. Accepted(SCI源刊)
[18] Yuping He, Haibin Huang, Lang Zhou, Zhihao Yue, JirenYuan,Naigen Zhou,Chao Gao. a-SiOx:H passivation layers for Cz-Si wafer deposited by hot wire chemical vapor deposition. Materials Science in Semiconductor Processing. 2017, 61:1-4. (SCI源刊)
[19] 韩宇哲;黄海宾;周浪. 绒面类型对斜入射光下太阳电池发电能力影响的分析. 新能源进展, 04期, pp 256-260, 2015/9
[20] 周耐根; 胡秋发; 许文祥; 吴小元; 黄海宾; 周浪. 基底温度对c-Si(100)面生长a-Si∶H薄膜结构特性影响的分子动力学模拟研究. 人工晶体学报, 2014, 43(6), pp 1453-1459 (EI)

书籍:
[1] 周浪,黄海宾. 科技创新“六个一”工程相关产业技术中级读本:光伏产业关键技术. 赣新出内准字第0007774号,2010,江西省科学技术厅。
[2] Wolfgang R. Fahrner, Haibin Huang, Thomas Mueller, Stefan Schwertheim, Frank Wuensch and Heinz-Christoph Neitzert. Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cell. ISBN :978-3-642-37038-0. Springer&化工出版社2013-04。
[3] Wolfgang R. Fahrner, Haibin Huang, Thomas Mueller, Stefan Schwertheim, Frank Wuensch and Heinz-Christoph Neitzert. Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cell. ISBN :978-7-122-15935-9.化工出版社&Springer 2014-05。
标准:
[1] 周浪,周潘兵,李辉糯,魏秀琴,黄海宾,邓新贵,游鹏程,尹传强. 太阳能级多晶硅单位产品能源消耗限额,江西省地方标准DB36/ 652-2012. (ICS 27.010 H82, 备案号:33309-2012)
专利:
[1] 黄海宾;周浪;龚洪勇;张东华;汪已琳;高江.一种突变结晶硅太阳电池的制备方法. ZL201210183417.7(专利号),2014-10-29授权。
[2] 黄海宾;周浪;.一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构. 201210182875 (专利号), 201210182875.9(申请号), 公开号:CN102683468A。2012-09-19公开
[3] 黄海宾;李媛媛;彭铮;周浪;魏秀琴;周潘兵. 一种异质结晶硅太阳电池钝化层的制备方法,201210042843(专利号), 授权公告号:CN102593253B,2015-05-06授权(上海中智光纤通讯有限公司)
[4] 黄海宾;王巍;李媛媛;周浪;魏秀琴;周潘兵. 一种异质结晶硅太阳电池钝化层的热处理方法,201210042844专利号,公开号CN102544234A,公开2012.07.04,授权公告号:CN102544234B,2016.02.17授权(上海中智光纤通讯有限公司)
[5] 黄海宾;周 浪;沃尔夫冈·法赫纳;张东华.掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法. 申请号:201310474909.6授权公告号:2015121200188390,2015-12-28授权   授权公告号:CN103590014B 授权公告日:2016.04.06
[6] 黄海宾;周 浪;高  江;崔冶青.一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法.  申请号:201310474882.0, 公开号:CN201310474882.0, 2014-02-19 公开
[7] 黄海宾,周 浪,崔冶青,高 江.用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法.申请号:201310474761.6 , 公开号:CN201310474761.6 公开2014.02.19
[8] 法赫纳,黄海宾,周浪.一种用于太阳电池增效的等离子体激元.专利号:201310141060.0, 2015-07-22日授权。
[9] R·弗里德里希, 沃尔夫冈 法赫纳, S·斯克韦尔特海姆, 周浪,黄海宾,向昱任. 晶硅异质结太阳电池的前电极及电池片串接同步制作方法. 申请号:2013101837790 , 公开号:CN201310183779.0. 授权公告号:CN103413857B, 2015-10-28授权
[10] 黄海宾,周浪. 一种晶体硅太阳电池的电极. 申请号:201320847319.9 (实用新型,2014年7月授权).专利号:ZL 2013 2 0847319.9
[11] 黄海宾,周浪. 一种晶体硅太阳电池电极的背面结构. 申请号:201320847317.X. (实用新型,2014年7月授权). 专利号:201320847317.X
[12] 岳之浩,周潘兵,黄海宾,周浪. 一种以触盘代替主栅线的太阳电池正面电极栅线结构. 申请号:201410421063.4. 公开号:CN104218104A,公开日:2014年12月17日
[13] 黄海宾,岳之浩,周浪. 一种晶体硅基太阳电池及其制备方法. 申请号: 201410450581.9. 公开号: CN104300011A 公开日:2015年1月21日
[14] 黄海宾,周浪. 一种晶体硅异质结太阳电池进光面用的金属电极及其制备方法. 申请号:201510475559.4。公开号: CN105070771A申请公布日:2015.11.18
[15] 彭铮; 李媛媛; 黄海宾; 刘超; 张闻斌; 周国平; 彭德香; 周浪. 一种用于晶体硅异质结太阳电池的透明导电氧化物薄膜及其制备方法. 申请公布号:CN104900727A,申请公布日:2015.09.09. 申请号:2015102565523, 申请日:2015.05.19(上海中智光纤通讯有限公司)
[16] 高超; 周浪; 黄海宾; 岳之浩. 一种基于水溶剂制备铜锌锡硫硒薄膜的方法. 申请公布号:CN105039937A, 申请公布日:2015.11.11. 申请号:2015102943090申请日:2015.06.02
[17] 周浪; 岳之浩; 黄海宾; 姜美芳.一种硅片太阳电池的热处理增效方法. CN104916739A, 申请公布日:2015.09.16. 申请号:2015102661145,申请日:2015. 05.25.
[18] 黄海宾, 周浪. 一种可双面进光的晶硅太阳电池及其制备方法. 申请号:201510776929.8,申请日:2015.11.16. 申请公布号:CN105322043A, 申请公布日:2016.02.10.
[19] 黄海宾; 周浪; 岳之浩. 一种晶体硅基太阳电池用的高方阻掺杂晶硅层的制备方法. 申请号:2015107392319, 申请日:2015.11.04;申请公布号:CN105405924A, 申请公布日:2016.03.16;
[20]  黄海宾; 岳之浩;周浪. 一种热载流子太阳电池. 申请号:201510813912.5,申请日:2015.11.23.公开号: CN105428436A,申请公布日:2016.03.23
[21] 黄海宾, 韩宇哲, 岳之浩, 周浪. 一种低温气相沉积固态扩散源制备用于太阳电池的掺杂硅的方法. 申请号:201610210064.3,申请日:2016.04.07. 公开号:CN105702809A,公开日:2016.06.22.
[22] 黄海宾, 周浪, 袁吉仁, 高超, 岳之浩, 孙喜莲. 一种背结晶硅异质结双面太阳电池及其制备方法. 申请号:201610311944.X,申请日:2016.05.12.
[23] 黄海宾, 周浪, 高超, 岳之浩, 袁吉仁, 孙喜莲. 一种背结晶硅异质结太阳电池及其制备方法. 申请号:201610311943.5,申请日:2016.05.12.
[24] 黄海宾, 周浪, 岳之浩, 高超. 一种抑制p型PERC太阳电池光致衰减的方法. 申请号:201610323443.3,申请日:2016.05.17.
[25] 黄海宾, 周浪, 岳之浩, 高超, 韩宇哲, 宿世超. 一种制备n型晶体硅双面太阳电池的方法. 申请号:201610323511.6,申请日:2016.05.17.
报告:
[1] Friedrich Roland, Schwertheim Stefan, Fahrner Wolfgang, Zhou Lang, Huang Haibin and Xiang Yuren. Simultaneous low temperature screen printing and bonding of heterojunction solar cells. 27th EU PVSEC, 6th September 2011, Hamburg.
[2]张东华,周浪,黄海宾,汪已琳,龚洪勇,高江。PECVD法沉积a-SiOx:H层钝化N-型晶体硅表面的研究。中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12),北京,9月6日,2012.
[3]龚洪勇,周浪,黄海宾,向昱任,汪已琳,张东华,高江,崔冶青。PECVD非晶硅薄膜对N型直拉单晶硅钝化效果的研究。中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12),北京,9月6日,2012.
[4]高江,周浪,黄海宾,崔冶青。双层梯度掺杂发射极HIT太阳电池的模拟研究。中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12),北京,9月6日,2012.
[5] W. R. Fahrner, L. Zhou, H. Huang. High efficiency Solar Cell development. Nanchang, China, October 15th, 2012. 南昌大学高研院报告. (invited)
[6] 黄海宾,高江,周浪。双层发射极结构改善a-Si:H/c-Si异质结太阳电池性能的机理分析。第八届太阳能级硅级光伏发电研讨会 (CSPV8),上海,12月7日,2012.
[7] W. R. Fahrner, L. Zhou, H. Huang. Participation in the PV Development of P. R. China. Seminar Talk at Center of Solar & Hydrogen Research, Stuttgart, Germany, Feb. 28, 2013. (invited)
[8] W. R. Fahrner, L. Zhou, H. Huang. Integration in die PV Entwicklung in China. Seminar Talk at Research Center Jülich GmbH, Jülich, Germany, Apr. 18, 2013. (invited)
[9] W. R. Fahrner, L. Zhou, H. Huang. Photovoltaic Research in Nanchang, China, University of Salerno, Italy, Nov. 16, 2013 (invited)
[10] 龚洪勇,黄海宾,高 江,崔冶青,宁武涛,周 浪. PECVD法非晶硅与非晶氧化硅薄膜钝化硅片研究.第9届中国太阳级硅及光伏发电研讨会(9th CSPV ), 常熟,11月7-9日,2013.
[11] 崔冶青,高江,宁武涛,黄海宾,周浪.低温外延晶硅太阳电池发射极的快速退火改性研究.第9届中国太阳级硅及光伏发电研讨会(9th CSPV ), 常熟,11月7-9日,2013.
[12] 袁吉仁,沈鸿烈,周浪,黄海宾.基于杂质光伏效应的双杂质掺杂对硅基太阳电池器件性能的影响.第9届中国太阳级硅及光伏发电研讨会(9th CSPV ), 常熟,11月7-9日,2013.
[13] 黄海宾,崔冶青,高江,宁武涛,周浪.晶硅太阳电池用的低温气相外延法制 p-n 结技术.第9届中国太阳级硅及光伏发电研讨会(9th CSPV ), 常熟,11月7-9日,2013.
[14] 宁武涛,黄海宾,龚洪勇,高江,周浪. Semilab WT-2000 与 Sinton WCT-120 测试硅片少子寿命结果的比较分析.第9届中国太阳级硅及光伏发电研讨会(9th CSPV ), 常熟,11月7-9日,2013.
[15] W. R. Fahrner, L. Zhou, H. Huang. Photovoltaic Research in Nanchang, China. Seminar Lecture, University of Salerno, Italy, July 3rd, 2014 (invited)
[16] 黄海宾,宁武涛,龚洪勇,周浪:双层发射极结构改善晶硅异质结太阳电池性能的实验研究. 第10届中国太阳级硅及光伏发电研讨会(10th CSPV ), 南通,11月8日,2014.
[17] 岳之浩,黄海宾*,何玉平,周浪:a-Si:H/c-Si双层发射极的p型多晶硅高效太阳电池的初步研究. 第10届中国太阳级硅及光伏发电研讨会(10th CSPV ), 南通,11月8日,2014.
[18] 何玉平,黄海宾*,宁武涛,龚洪勇,周浪:晶硅异质结太阳电池钝化层制备过程的热影响研究. 第10届中国太阳级硅及光伏发电研讨会(10th CSPV ), 南通,11月8日,2014.
[19] 黄海宾*,何玉平,周耐根,W.R. Fahrner,周浪. 硅基异质结太阳电池中本征层钝化机理分析与性能控制. 第15届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC15),北京,10月15日,2015.Beijing
[20] 何玉平,黄海宾*,周浪,周耐根. HWCVD法沉积a-SiOx:H薄膜钝化c-Si表面技术。第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会,杭州,11月28日,2015.
[21] 周 浪,杨瑞鹏,黄海宾. 非晶硅/晶体硅异质结太阳电池技术剖析及其国产化前途展望。第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会,杭州,11月26日,2015.(大会邀请报告)
[22] 岳之浩,黄海宾,韩宇哲, 周潘兵,周浪, 袁向东,黄英明. 多晶硅太阳电池连续光热处理增效研究。第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会,杭州,11月28日,2015.
[23] 高超,周浪,黄海宾. Cd1-xZnxS缓冲层及其在Cu2ZnSn(S,Se)4太阳电池中的应用. 第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会,杭州,11月28日,2015.
[24] 黄海宾. 光伏太阳电池产业现状与发展概况—在新能源发展的大潮中,我们可以做些什么. 南昌 南昌理工大学,12月30日,2015(invited)
[25] 龚敏刚,黄海宾*,田罡煜,肖友鹏,高超,邓新华,周浪. C-V法分析本征非晶硅薄膜钝化晶体表面的特性. 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会,嘉兴,11月26日,2016.
[26] 肖友鹏,田罡煜,王涛,黄海宾*,高超,周浪. Sinton、Kerr和Richter参数模型解析Sinton WCT所测少子寿命曲线的对比分析. 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会,嘉兴,11月26日,2016.
[27] 宿世超,黄海宾*,岳之浩,高超,王涛,田罡煜,周浪*.低温CVD法沉积固态硼、磷扩散源同步扩散制备双面N型晶硅太阳电池的发射极和背电场. 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会,嘉兴,11月25日,2016.
[28] 周浪,黄海宾. 硅片太阳电池技术:近三年来与未来三年的发展与挑战. 第二届全国新型太阳能电池前沿技术与发展研讨会,深圳,12月10号,2016.(invited)

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