复旦大学物理学系原子层沉积系统

jinbu

原子层沉积系统  (ALD)
  型号规格：        R-200         
  所属部门：        物理学系          产地国别：        芬兰
  生产厂商：        芬兰Picosun公司          存放地点：        邯郸路先进材料楼一楼东侧
  
详细信息与技术指标
  主要技术指标：        主要用于沉积Al2O3， HfO2， ZrO2等介质薄膜。 薄膜均匀性：±1% （ 4英寸 ） 4路独立前驱体。 沉积温度：最高500oC 配备扩散增强，用于高深宽比沉积
  功能/应用范围：        原子层沉积系统是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器, 当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应从而形成沉积薄膜。该技术在集成电路，凝聚态物理，光子晶体等领域应用广泛。
  技术特色：       
  主要测试和研究领域：        材料/珠宝首饰 电子/信息技术 能源/核技术
  收费标准：        按样品收费
联系信息
  仪器负责人：        朱丽萍          电话：        65648597
  手机：                  电子邮件：        zhuliping@fudan.edu.cn
  传真：                  其他联系方式：       
  通讯地址：                  邮政编码：       
  仪器网址：