华南理工大学材料学院高分子光电材料与器件研究所兰林锋

jianchi

兰林锋，男，1983年出生，博士，华南理工大学研究员，博士生导师。主要从事半导体材料与器件、柔性电子的研究。发表SCI收录论文110余篇，被引用近3000次。编写“十三五”国家重点规划出版物《印刷显示材料与技术》（科学出版社）。获授权发明专利30件（其中美国专利6件）。获广东省科技奖一等奖1项，中国光学科技奖三等奖1项。入选广东省杰青、青年珠江学者，是教育部首批全国高校黄大年式教师团队成员。


兰林锋
所在系所：        高分子光电材料与器件研究所
职  称：        研究员
研究领域：        薄膜晶体管、AMOLED、半导体电子器件
招生专业
材料物理与化学
通信方式
通信地址：        广州市天河区五山路381号华南理工大学材料学院
邮政编码：        510640
办公地点：        光电楼307
办公电话：        87114525
电子邮箱：        lanlinfeng@scut.edu.cn
移动电话：        13828405832
教育与工作经历 科研与教学情况
2005年7月，获华南理工大学物理科学与技术学院理学学士学位，之后保送至材料科学与技术学院读研，2010年7月获得材料物理与化学专业博士学位。毕业后由于在AMOLED显示方面的突出贡献获得留校资格，任职于华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室。2012年8月被破格晋升为副研究员。


致力于基于有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）应用的薄膜晶体管（TFT）的研究，包括有机TFT（OTFT）、金属氧化物TFT（MO-TFT）、TFT与OLED的集成技术等，在半导体材料开发、TFT器件结构、TFT电学稳定性、电化学氧化、界面修饰以及阵列制备等方面的研究上积累了一定的经验，取得的科研进展如下：
【1】开发出具有自主知识产权的高稳定性的掺稀土氧化物半导体材料（Ln-IZO），获得3 项授权发明专利（第一完成人），场效应迁移率为15-32cm2/Vs，连续偏压应力测试127小时后阈值电压仅漂移0.19V，迁移率和稳定性均已超过东京工业大学细野秀雄教授发明的IGZO，打破了国外的专利垄断，实现了我国在TFT 关键材料方面的突破。此后，Ln-IZO 和相关技术已经转至公司并得到应用验证：成功应用于AMOLED 显示、透明显示和柔性显示，并展现了良好的稳定性、可靠性和再现性。
【2】实现了基于阳极氧化绝缘技术的金属氧化物薄膜晶体管（MO-TFT），申请3 项专利（第一完成人，已授权1 项）。与传统的SiO2 绝缘层相比，阳极氧化制备的绝缘层无需昂贵的真空设备（PECVD）、无需易燃易爆有毒危险气体原料，因此成本低而且环保节能；阳极氧化过程和缓，没有氢离子污染，所制备的MO-TFT 缺陷少、迁移率高；阳极氧化绝缘层还有击穿电压高、介电常数高，工作电压低以及功耗低等优点；此外，阳极氧化绝缘技术还能与柔性衬底（如PEN、PET 等）兼容，在高达40V 电压应力下，最小不击穿的弯曲半径可达3mm，并利用此技术实现了基于PEN 衬底的柔性AMOLED 显示。
【3】实现了背沟道刻蚀型MO-TFT，获得1 项授权发明专利（第一完成人）。由于MO 半导体对酸非常敏感，即便是弱酸也能快速腐蚀MO 半导体，所以在氧化物半导体上刻蚀金属电极时很容易破坏MO 半导体层本身。通常采用增加一层刻蚀阻挡层（ESL）来保护底下的MO 半导体层（三星公司专利），但这种方法增加了一层薄膜，并增加了一道光刻，因此增加了工艺成本。通过在MO 半导体层上加入纳米粒子以及使用双氧水与碱的混合溶液作为刻蚀液成功获得了稳定性良好的背沟道刻蚀型MO-TFT 器件，这也被认为是国际上首次实现的背沟道刻蚀型的MO-TFT。


主持国家项目2项（1项为863子任务）、省部级项目5项、市级项目1项（子课题）、横向项目1项以及校级项目2项，总经费为474.5万。
发表SCI论文50余篇，被他引700余次。其中，以第一作者或通讯作者发表24篇。
申请专利28件，其中已授权11件。
编写《有机光电子技术》（第五、第八章），以及受邀参与编写《Organic Light-Emitting Materials and Devices, Second Edition》（第九章），CRC Press, Taylor & Francis Group。
2014年获得广州市“珠江科技新星”项目资助。

tianlengla

2018年青年珠江学者岗位计划入选者简介
兰林锋，研究员、博士生导师，青年珠江学者，广东省杰出青年基金获得者，教育部首批全国高校“黄大年式”教师团队成员，国际信息显示协会北京分会技术委员会委员，美国化学会旗下期刊ACS Appl. Mater. & Interfaces客座编辑。发明了稀土掺杂的氧化物半导体（Ln-IZO），相关成果及其应用探索获得广东省技术发明一等奖。发表SCI论文100余篇，被引用1800多次。编写论著《印刷显示材料与技术》（科学出版社），获得国家出版基金的资助。申请国家发明专利50多件，已授权23件。主持国家级、省部级等科研项目16项，累计经费1000多万元。