华南理工大学材料学院电子材料科学与工程系李国强教授

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李国强
所在系所：        电子材料科学与工程系
职  称：        教授
研究领域：        光电化合物半导体（III-V族与II-VI族）的材料生长、无机光电器件（LED及太阳电池）的制备、材料设计
国家自然科学基金委优秀青年科学基金获得者、广东省自然科学基金杰出青年科学基金获得者
招生专业
材料学（无机材料方向）
微电子与固体电子学 材料学（无机材料方向）
微电子与固体电子学 材料工程
通信方式
通信地址：        广州市天河区五山路381号华南理工大学材料学院
邮政编码：        510640
办公地点：        14号楼
办公电话：        020-87112957
电子邮箱：        msgli@scut.edu.cn
移动电话：        （保密）
教育与工作经历
1995-2004年就读于西北工业大学，获学士、硕士及博士学位；博士论文获得2006年“全国百篇优秀博士论文”。
2004-2005年就职于通用电气全球研发中心，担任高级研发科学家。
2005-2007年就职于东京大学生产技术研究所（Institute of Industrial Science，University of Tokyo），任日本学术振兴会(JSPS)外国人特别研究员（Research Fellow）。
2007-2010年就职于牛津大学（University of Oxford）材料系，任英国皇家学会研究员（Royal Society Research Fellow）。
2010年作为引进人才加入华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室，任教授、博士生导师。
至今已指导博士后2名、博士研究生9名、硕士研究生11名。
2013年荣获“广东青年五四奖章”（全省各行业共12人），并获得“广东省杰出青年科学基金”资助；2014年获得“国家优秀青年科学基金”资助。是牛津科技论坛(OX-FOST)共同创始人、牛津中国学联执委。
是Nature: Sci. Rep.、J. Mater. Chem. C、Cryst. Growth Des.、J. Phys. Chem. C、Appl. Phys. Lett.、CrystEngComm、RSC Adv.等国际著名学术期刊的特邀审稿人。兼任国家稀散金属工程与技术研究中心的学术委员会委员，广东省青年科学家协会常务理事，深圳市光学与太赫兹超材料重点实验室的学术委员会委员，国家自然科学基金通讯评议专家，国家电子信息发展基金会评专家；是美国材料研究学会、美国化学学会、美国电子电气工程师学会、英国物理学会和中国材料研究学会的会员。


科研与教学情况
致力于高性能光电半导体材料制备与器件制作（特别是LED及太阳能电池）、以及可见光通讯方面的研究。主要研究方向有：（1）光电化合物半导体材料的制备；（2）高性能LED器件及高效太阳能电池的制备；（3）可见光通讯；（4）光催化材料的化学合成。学术成果主要包括：（1）首次提出LED新型衬底概念；深入研究了新型衬底上LED的外延生长、缺陷控制和器件发光机理，建立了新型衬底上高效LED的模型，为新型衬底上高效LED材料外延和器件制备开拓出了新方法。（2）发明了高效的图形化衬底设计方法，并发明了多种新型的图形化衬底图案，大幅度提高了LED的出光效率；（3）研发了新型的高导热复合散热基板，特别适合于大功率COB封装，针对封装基板散热通道进行散热管理设计，提供了高效低成本的光源散热方案；（4）研制了光热电一体化的LED芯片阵列模组，利用二次光学配光矫正光源光型，设计驱动电路提高光源的响应带宽，高效散热保障模组工作的可靠性；（5）提出了一种新型的高效多结太阳能电池结构，在保证太阳能电池转化效率的同时，大幅度降低了工艺复杂性和难度，显著降低生产成本。相关研究结果已经被应用于工业化生产中。
近五年来，主持了多项国家及省部级重点科研项目，包括国家优秀青年科学基金、国家自然科学基金（2项）、973项目课题、广东省杰出青年科学基金等。研究成果获2013年国家技术发明二等奖、2012年陕西省科学技术奖一等奖、2006教育部科技进步二等奖、2006全国百篇优秀博士论文奖等。
在Surf. Sci. Rep.、JACS、APL等期刊上发表SCI论文90余篇，其中包括Surf. Sci. Rep. (IF=24.6)、Rep. Prog. Phys. (IF=17.1)、J. Mater. Chem. C (IF=6.6)等特邀综述4篇；SCI Top期刊封面/封底论文6篇；影响因子IF>3的论文40余篇；论文被包括Science、Nat. Comm.、PRL在内的期刊引用1000余次；被国际半导体工业界著名杂志Semiconductor Today及GANEX重点专题报道5次；入选国际著名期刊年度Hot articles 2次。授权国内外专利42项。出版科学出版社专著《新型衬底上蓝白光LED外延材料与芯片》。
至今已指导博士后2名、博士研究生9名、硕士研究生11名，研究生获得国家奖学金7人次，华南理工大学创新优博基金8人次，华南理工大学十佳学生标兵2人次，材料学院每月之星3人次。
主讲了本科生课程《固体物理》。指导本科生获得全国新材料设计大赛特等奖，全国环保科技创意设计一等奖，材料创新大赛广东省一等奖，“挑战杯”广东省特等奖及一等奖，以及GE基金科技奖励第二名等。
积极参加国际和地区间的学术交流与合作，是牛津科技论坛(OX-FOST)共同创始人，牛津中国学联执委。曾在国际学术会议上作特邀报告20余次；担任国际学术会议大会/分会主席6次。目前，课题组与牛津大学、剑桥大学、York大学、Strathclyde大学、新加坡国立大学、香港科技大学、香港城市大学保持密切的合作关系。
是Nature: Sci. Rep.、J. Mater. Chem. C、Cryst. Growth Des.、J. Phys. Chem. C、Appl. Phys. Lett.、CrystEngComm、RSC Adv.等国际著名学术期刊的特邀审稿人。兼任国家稀散金属工程与技术研究中心的学术委员会委员，广东省青年科学家协会常务理事，深圳市光学与太赫兹超材料重点实验室的学术委员会委员，国家自然科学基金通讯评议专家，国家电子信息发展基金会评专家；是美国材料研究学会、美国化学学会、美国电子电气工程师学会、英国物理学会和中国材料研究学会的会员。


长期招收相关研究方向博士后。

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华南理工李国强AM：夹在石墨烯和Si衬底之间的二维AlN层

2D材料在下一代光电器件中具有巨大的应用潜力，但III族氮化物半导体2D AlN的合成仍然具有挑战性。华南理工大学李国强课题组通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si衬底上物理转移石墨烯方式外延生长2D AlN层，通过电镜确认夹在石墨烯和Si衬底之间的2D AlN层。在生长过程中，石墨烯/ Si异质结构与H2的氢化保证了2D AlN层的形成。在没有氢化的情况下，石墨烯和Si衬底之间没有发现中间层。研究人员进一步研究了二维AlN层的形成机理和氢化对二维AlN层形成的影响，结果表明，氢化在2D AlN的形成中非常重要。它打破了石墨烯的结构，钝化了石墨烯和Si衬底之间的悬空键，打开了AlN前体原子进入中间层的路径。通过理论和实验进一步预测和确定了2D AlN层的Eg值。这种超宽带隙半导体在深紫外光电应用中具有很大的前景。

Wang W,Zheng Y, Li X, et al. 2D AlN Layers Sandwiched Between Graphene and Si Substrates[J]. Advanced Materials, 2018.

DOI: 10.1002/adma.201803448

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.201803448