浙大学国际科创中心先进半导体研究院前沿交叉研究组诚聘博士后

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应聘要求
1.  具有博士学位材料、物理、化学、微电子、光电等学科背景；
近三年曾作为第一作者至少发表了1 篇具有一定影响力的研究论文。
具有良好的团队合作意识和独立工作能力；

岗位职责
分支1 宽禁带半导体、二维半导体材料/宽禁带半导体材料异质结 紫外光电探测: 研究宽禁带半导体（SiC/GaN/Ga2O3）和二维材料/宽禁带半导体材料异质结光电性质，探索紫外光电探测器件 ；
分支2 二维材料生长方向:
大面积直至晶圆级二维材料/薄膜（过渡金属硫族化物、石墨烯、氮化硼等）的生长，有相关经验者优先；新型二维材料的生长与探索；搭建生长设备等；
分支3 二维材料、宽禁带半导体异质界面的物理和化学方向:
二维材料/二维材料、二维材料/宽禁带半导体、二维材料/功能分子等异质界面上的物理和化学研究；探索电子学、光电或其他类型器件。有器件制备和测试相关经验者优先。


待遇
选择进入博士后工作站的研究人员原则上税前年薪不低于40万元人民币（含地方政府人才补贴）；获得国家自然科学基金、中国博士后科学基金和省级博士后科研项目资助者，杭州市、萧山区财政给予相应的配套资助；博士后出站后留科创中心工作，可享受杭州市、萧山区政府安家补助（杭州市博士后补贴政策：http://www.hangzhou.gov.cn/art/2020/5/21/art_1229051319_6951.html；萧山区人才补贴政策：https://xsrb.xsnet.cn/epaper/htm ... _79498_12443370.htm ）。
参与科创中心重大课题研究并取得显著成绩的，可获得额外资助或津贴。
提供一流的实验与科学研究条件。
提供萧山区人才公寓或科创中心公寓。
符合杭州市有关规定的，协助解决杭州市集体户口；
在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务。
符合杭州市高层次人才标准的，可协助解决子女入园入托问题。

申请材料
个人简历：学习工作经历、主要研究工作内容等；
2．表明申请人研究能力和学术水平的成果（如学术论文、专利、获奖情况等）；


研究组简介
王佩剑研究员
在北京大学元培学院获得物理学学士学位，随后在美国University of Pennsylvania获得材料科学工程硕士学位，之后进入美国University of Massachusetts Amherst，获得物理学博士学位，随后在美国纽约州立大学Buffalo分校物理系做博士后研究，2021年加入浙江大学国际科创中心，入选求是科创学者”科创百人”。近三年来在ACS Nano Nano Lett. Appl.Phys.Rev. Adv.Mater. Chem. Sci.等国际权威期刊发表论文12篇 (8篇中科院一区)，其中第一作者/共同一作7篇，主持国家自然科学基金青年基金一项（在研），申请专利两项，受邀为J. Magn. Magn. Mater.、Nanoscale、JPCC等杂志审稿。


浙江大学杭州国际科创中心（以下简称科创中心）是新时代浙江大学和杭州市全面深化市校战略合作共建的重大科技创新平台，是浙江省打造“互联网+”、生命健康和新材料三大科创高地的重大标志性工程。中心聚焦物质科学、信息科学、生命科学的会聚融通，推动在微纳尺度下多学科交叉的颠覆性技术革命，支撑引领未来高端制造和未来产业发展，打造长三角一体化发展的重要创新极，成为具有世界声誉的国际化创新生态区和杰出人才汇聚地。

浙大杭州科创中心先进半导体研究院聚焦宽禁带半导体领域的国际前沿和重大科学问题，瞄准国家在信息、能源等领域的重大战略需求，依托长三角区域领先的产业优势、浙江大学雄厚的科研实力和杭州科创中心创新的体制机制，着力打造一个国内领先、国际先进的前沿技术创新研发平台，推动产学研深度融合发展。目前先进半导体研究院下设半导体材料研究室、功率器件研究室、封装测试研究室，具有从材料到系统集成的全链条研发能力，拥有国际一流的大型仪器设备和超净实验室等研发设施。本研究组隶属于浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室，主要研究方向是二维材料和宽禁带半导体前沿交叉方向（例如在宽禁带半导体上生长晶圆级二维材料，在二维材料上外延生长宽禁带半导体，及两者异质界面的物理和化学）， 并且和研究室内其他方向上展开合作。研究组依托科创中心和浙江大学硅材料国家重点实验室以及微纳加工平台的强大平台，拥有等离子增强化学气相沉积，脉冲激光沉积、薄膜沉积系统、X射线衍射仪等先进设备。 该研究室在半导体材料专家杨德仁院士指导下开展工作，研究室主任是皮孝东教授。


联系方式
联系人： 王老师
邮箱： pjwang@zju.edu.cn