西南科技大学材料科学与工程学院材料系李炳生

gelu

一、基本情况：
姓名：  李炳生               
性别：男
学历/学位： 研究生/博士      
职称： 特聘教授  
学科（专业）： 核科学与技术   研究方向：核用材料辐照、腐蚀效应研究
Email：libingshengmvp@163.com


二、个人简历
2000-2004 兰州大学物理科学与技术学院，核物理专业，学士
2005-2010 中国科学院研究生院，粒子物理与原子核物理，博士
博士题目：硅中纳米空腔的形成及其在合成SOI材料中的应用（指导教师：张崇宏研究员）
2004-2005，助理工程师，加速器物理室，中国科学院近代物理研究所
2005-2009，研究实习员，材料辐照一组，中国科学院近代物理研究所
2009-2012，助理研究员，材料辐照一组，中国科学院近代物理研究所
2012-2018.08，副研究员，先进核能材料研究室，中国科学院近代物理研究所
2018.09-至今，特聘教授，环境友好能源材料国家重点实验室，西南科技大学
2010.10-2010.11，访问学者，北海道大学先进能源材料研究中心，从事碳化硅辐照效应研究
2012.03-2013.02，访问学者，瑞士保罗-谢勒研究所，戴勇教授研究组，从事液态铅-金合金腐蚀效应和散裂中子辐照奥氏体钢的研究
2015.01-2015.07，访问学者，京都大学先进能源研究所，木村教授研究组，从事离子辐照核能结构材料的研究


三、教学工作：
承担2019年国防科技学院研究生课程《核技术应用》专业授课老师
担任能源化学2019级一班班主任
目前培养研究生一名，本科生若干名。


四、科研工作：
近期发表论文(近3年，一作加通讯共计21篇，其中8篇一区)
1.   B.S. Li*, H.P. Liu, L.J. Xu, J. Wang, J. Song, D.P. Peng, J.H. Li, F.Q. Zhao, L. Kang, T.M. Zhang, H.X. Tang, An.L. Xiong, Lattice disorder and N elemental segregation in ion implanted GaN epilayer, Appl. Surf. Sci. 499 (2020) 143911-143919.
2.   N. Daghbouj*, B.S. Li*, M. Callistic*, H.S. Sen, M. Karlik, T. Polcar, Microstructural evolution of helium-irradiated 6H-SiC subjected to different irradiation conditions and annealing temperatures: A multiple characterization study, Acta Materialia 181 (2019) 160-172.
3.   Bingsheng Li*, Huiping Liu, Long Kang, Tongmin Zhang, Lijun Xu, Anli Xiong, Irradiation damage in xenon-irradiated α-Al2O3 before and after annealing, J. Eur. Ceram. Soc. 39 (2019) 4307-4312.
4.   Bingsheng Li*, Yuzhu Liu, Huiping Liu, Long Kang, Anli Xiong, Transmission electron microscopy study of extended defects in high dose He-implanted GaN after annealing at 450℃, Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B 454 (2019) 45-49.
5.   Bing-Sheng Li*, Zhiguang Wang, Kongfang Wei, Tielong Shen, Cunfeng Yao, Hongpeng Zhang, Yanbin Sheng, Xirui Lu, Anli Xiong, Wentuo Han, Evolution of helium effect on irradiation hardening in F82H, ODS, SIMP and T91 steels by nano-indentation method, Fusion Engineering and Design 142 (2019) 6-12.
6.   Bing-Sheng Li*, Huiping Liu, Xirui Lu, Long Kang, Yanbin Sheng, Anli Xiong, Atomic configurations of basal stacking fautls and dislocation loops in GaN irradiated with Xe20+ ions at room temperature, Appl. Surf. Sci. 486 (2019) 15-21.
7.   Bingsheng Li*, Yanbin Sheng, Huiping Liu, Xirui Lu, Xiaoyan Shu, Anli Xiong, Xu Wang, Dissolution corrosion of 4H-SiC in lead-bismuth eutectic at 550℃, Materials and Corrosion 70 (2019) 1878-1883.
8.   Xu Wang, Junhan Lim, Jie Wang, Jie Song, Fuqiang Zhao, Hexi Tang, Bing-sheng Li*, An-li Xiong, Microstructure investigation of damage recovery in SiC by swift heavy ion irradiation, Material Design and Processing Communication 1 (2019) e87-e92.
9.   Xiaoyan Shu*, Qi Qing, Bingsheng Li, Yushan Yang, Linyan Li, Haibin Zhang, Dadong Shao, Xirui Lu*, Rapid immobilization of complex simulated radionuclides by as-prepared Gd2Zr2O7 ceramics without structural design, J. Nucl. Mater. 526 (2019) 151782-151790.
10.  Guilin Wei, Bingsheng Li, Zhentao Zhang, Shuanzhang Chen, Xiaoyan Shu, Xiao Wang, Yi Liu, Yi Xie, Dadong Shao, Xirui Lu*, Boron assisted low temperature immobilization of iodine adsorbed by silver-coated silica gel, J. Nucl. Mater. 526 (2019) 151758-151767.
11.  Peng Ji, Tielong Shen*, Minghuan Cui, Yabin Zhu, Bingsheng Li, Tongmin Zhang, Jinyu Li, Shuoxue Jin, Eryang Lu, Xingzhong Cao, Zhiguang Wang*, Study of vcancy-type defects in SIMP steel induced by separate and sequential H and He ion implantation, J. Nucl. Mater. 520 (2019) 131-139.
12.  Bing-Sheng Li*, Zhi-Guang Wang, Tie-Long Shen, Kong-Fang Wei, Yan-Bin Sheng, Tamakai Shibayama, Xi-Rui Lu, An-Li Xiong, Effects of helium implantation and subsequent electron irradiation on microstructures of Fe-11 wt.% Cr model alloy, Chin. Phys. Lett. 36 vol. 4 (2019) 046104-046106.
13.  N. Daghbouj*, B.S. Li*, M. Karlik, A. Declemy，6H-SiC blistering efficiency as a function of the hydrogen implantation fluence，Appl. Surf. Sci.466 (2019) 141-150
14.  W.T. Han, B.S. Li*, Microstructural defects in He-irradiated polycrystalline a-SiC at 1000℃, J. Nucl. Mater. 504 (2018) 161-165.
15.  尹文怡，刘玉柱*，张启航，李炳生*，秦朝朝，ZnO在辐射场中的光激发特性研究，光谱学与光谱分析，38 （5）（2018） 1348-1352.
16.  尹文怡，刘玉柱*，张启航，李炳生，秦朝朝，SiC在辐射场中的光激发特性研究，原子与分子物理学报，35 （1）（2018） 1-6.
17.  韩驿，彭金鑫，李炳生*，王志光，魏孔芳，刘会平，张利民，He2+注入六方SiC晶体损伤效应的拉曼光谱研究，现代应用物理，9（3）（2018）030601-030606
18.  Jingjing Sun, B.S. Li, Yu-Wei You, Jie Hou, Yichun  Xu, C.S. Liu*, Q. F. Fang, Z.G. Wang, The stability of vacancy clusters and their effect on helium behaviors in 3C-SiC, J. Nucl. Mater. 50 (2018) 271-278.
19.  W.T. Han, H.P. Liu, B.S. Li*，Transmission electron microscopy and high resolution electron microscopy studies of structural defects induced in Si single crystals implanted by helium ions at 600℃，Appl. Surf. Sci.455 (2018) 433-437.
20.  Hui-Ping Liu, Jin-Yu Li*, Bing-Sheng Li*, Microstructure of Hydrogen-Implanted Polycrystalline α-SiC after Annealing，Chin. Phys. Lett. 35（9）(2018) 093103-093105.
21.  J.J. Sun, Y.W. Liu, J. Hou, X.Y. Li, B.S. Li*, C.S. Liu*, Z.G. Wang, The effect of irradiation-induced point defects on energetics and kinetics of hydrogen in 3C-SiC in a fusion environment, Nucl. Fusion, 57 (2017) 066031-066041.
22.  L. Zhang, B.S. Li*, Study of surface exfoliation on 6H-SiC induced by H2+ implantation, Physica B_condensed Matter, 508 (2017) 104-111.
23.  Y. Han, B.S. Li*, Z.G. Wang* et al., H-ion irradiation-induced annealing in He-ion implanted 4H-SiC, Chin. Phys. Lett. 34 (2017) 012801-012804.
24.  Y. Han, J.X. Peng, B.S. Li* et al., Lattice disorder produed in GaN by He-ion implantation, Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, 508 (2017) 543-547.
25.  Y.Z. Liu, B.S. Li*, Hua Lin, L. Zhang, Recrystallization Phase in He-implanted 6H-SiC, Chin. Phys. Lett. 34 (2017) 076101-076104.
26.  Y.Z. Liu, B.S. Li*, Li Zhang, High-temperature annealing induced He bubble evolution in low energy He ion implanted 6H-SiC, Chin. Phys. Lett. 34 (2017) 052801-052804.


承担课题
1. 国家自然科学基金/青年科学项目“高能重离子辐照注氢碳化硅晶体内部缺陷演化的研究”“24万”，（2011.01-2013.12）
2. 中科院“西部之光”人才培养计划“西部博士资助项目”“利用智能剥离技术制备氮化镓晶体的研究”“10万”，（2011.01-2013.12）
3. 中科院院长优秀奖科研启动项目“利用纳米空腔制备超薄SOI材料的研究”“10万”，（2011.01-2013.12）
4. 国家自然科学基金/面上项目“氦离子辐照烧结碳化硅损伤效应的研究”“100万”，（2015.01-2018.12）
5. 中央修购专项“电子能量损失谱仪”“280万”，（2015.01-2017.12）
6. 国家自然科学基金/联合基金项目“快重离子辐照3C-SiC材料蠕变效应的研究”“54万”，（2019.01-2021.12）
7. 西南科技大学人才引进科研启动项目“核用碳化硅辐照蠕变在线研究”“100万”，（2018.07-2021.06）
1. 发明专利一项：高温辐照蠕变装置 申请号：CN20170246768.0,公开号：CN107144475A, 发明人：李炳生；王志光；魏孔芳；申铁龙


五、荣誉称号及获奖：
2. 2009年中科院朱李月华优秀博士生奖获得者。
3. 2010年中科院院长优秀奖获得者。
4. 2010年中科院近代物理研究生优秀毕业生
5. 2015度中科院近代物理研究所文章发表先进个人

gelu

实验室核材料辐照研究团队的李炳生等在《Journal of Nuclear Materials》发表了题为“Positron annihilation spectroscopy study of vacancy-type defects in He implanted polycrystalline α-SiC”的重要研究成果。该成果由西南科技大学环境友好能源材料国家重点实验室、斯洛伐克理工大学合作完成。该论文通讯作者为我室李炳生教授，西南科技大学为该论文的第一通讯单位。

碳化硅中重要的核能结构材料，在核环境中碳化硅面临氦离子辐照影响，严重影响碳化硅性能。因此，有必要研究氦辐照碳化硅缺陷形成和演化过程。该论文利用正电子淹没技术研究了氦离子辐照烧结碳化硅，空位缺陷形成和迁移过程，弥补了透射电镜观察微观缺陷的缺点，这对以理解碳化硅材料在核能领域中的应用提供了重要参考。
文章链接：https://www.sciencedirect.com/sc ... i/S0022311519313406