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涂溶(Rong TU),男,1972年4月生,2003年获日本东北大学工学博士学位。现任武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室教授、湖北省“百人计划”专家、湖北省楚天学者。主要利用固相反应法(热压烧结、放电等离子体烧结)、液相凝固法(弧光放电、悬浮区熔)和气相沉积法(激光化学气相沉积、金属有机化学气相沉积、粉体旋转化学气相沉积、脉冲激光物理气相沉积)制备各种氧化物、碳化物、氮化物和硼化物等超硬陶瓷和涂层、生物陶瓷涂层、热障涂层、无铅铁电陶瓷和薄膜、高温超导薄膜、汽车尾气净化触媒、制氢触媒、宽禁带半导体薄膜和离子导体薄膜等。研究工作在国内外重要期刊上系统发表学术论文160余篇,被SCI收录100余篇,EI收录50余篇。
姓 名 涂溶 性 别 男 民 族 汉 出生年月 1972.04
职 称 教授 职 务 联系电话 15172418915
单位名称 新材所 Email turong@whut.edu.cn
实验室网址 http://fct.group.whut.edu.cn/cn/index.html
研究方向 l 功能薄膜与涂层
l 化学气相沉积
l 物理气相沉积
l 无机非金属材料
教育背景 l 2000/4-2003/3,(日本)东北大学,工学研究科材料加工学,博士(工学)
l 1998/4-2000/3,(日本)东北大学,工学研究科材料物性学,工学硕士
l 1989/9-1993/6,武汉工业大学,材料科学,本科,工学学士
工作经历 l 2012/9-至今,武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,教授
l 2010/3-2012/8,(日本)东北大学,金属材料研究所,准教授
l 2004/11-2010/3,(日本)东北大学,金属材料研究所,助教
l 2003/4-2004/10,(日本)东北大学,金属材料研究所,非常勤讲师
l 1996/10-1998/3,(日本)东北大学,金属材料研究所,外国人研究者
l 1993/7-1996/9,武汉工业大学,材料复合新技术国家重点实验室,助手
项目情况 l 国家科技部国际合作专项项目,大尺寸碳化硅的激光化学气相沉积技术及应用合作研发,2014/12-2017/11。
l 国际企业委托项目,卤化物化学气相沉积法制备Ti-Si-C复合材料厚膜成型技术,2015/01-2015/12。
l 国家自然科学基金项目,双激光化学气相沉积法制备刀具超硬涂层,2019.1-2022.12
l 国际合作项目,SiCN涂层的生物和血液相容性,2019.1-2021.12
代表性学术
成果 1 Q. Sun, P. Zhu, Q. Xu, R. Tu, S. Zhang, J. Shi, H. Li, L. Zhang, et al., “High-speed heteroepitaxial growth of 3C-SiC (111) thick films on Si (110) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [1] 1048–1057 (2018).
2 Q. Xu, P. Zhu, Q. Sun, R. Tu, S. Zhang, M. Yang, Q. Li, J. Shi, et al., “Fast preparation of (111)-oriented β-SiC films without carbon formation by laser chemical vapor deposition from hexamethyldisilane without H2,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [2] 1471–1478 (2018).
3 P. Zhu, M. Yang, Q. Xu, Q. Sun, R. Tu, J. Li, S. Zhang, Q. Li, et al., “Epitaxial growth of 3C-SiC on Si(111) and (001) by laser CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [9] 3850–3856 (2018).
4 P. Zhu, Q. Xu, R. Chen, S. Zhang, M. Yang, R. Tu, L. Zhang, T. Goto, et al., “Structural study of β-SiC(001) films on Si(001) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 100 [4] 1634–1641 (2017).
5 R. Tu, D. Zheng, Q. Sun, M. Han, S. Zhang, Z. Hu, T. Goto, and L. Zhang, “Ultra-Fast Fabrication of <110>-Oriented β-SiC Wafers by Halide CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 99 [1] 84–88 (2016).
6. Tu, Rong,Li, Nian,Li, Qizhong,Zhang, Song,Zhang, Lianmeng,Goto, TakashiMicrostructure and mechanical properties of B4C-HfB2-SiC ternary eutectic composites prepared by arc melting,Journal of the European Ceramic Society,2016,36(4):959-966。
7. Tu, Rong,Li, Nian,Li, Qizhong,Zhang, Song,Zhang, Lianmeng,Goto, TakashiEffect of microstructure on mechanical, electrical and thermal properties of B4C-HfB2 composites prepared by arc melting,Journal of the European Ceramic Society,2016,36(16):3929-3937。
8 R. Tu, Q. Sun, S. Zhang, M. Han, Q. Li, H. Hirayama, L. Zhang, and T. Goto, “Oxidation Behavior of ZrB2-SiC Composites at Low Pressures,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 214–222 (2015).
9 S. Zhang, Q. Xu, R. Tu, T. Goto, and L. Zhang, “Growth Mechanism and Defects of <111>-Oriented β-SiC Films Deposited by Laser Chemical Vapor Deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 236–241 (2015).
10 S. Zhang, Q. Xu, Q. Sun, P. Zhu, R. Tu, Z. Hu, M. Han, T. Goto, et al., “Effect of Pressure on Microstructure of <111>-Oriented β-SiC Films: Research Via Electron Backscatter Diffraction,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [12] 3713–3718 (2015).
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