中国科学院化学研究所刘云圻

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刘云圻研究员，中国科学院院士，第三世界科学院院士。物理化学家，1949年2月生于江苏省靖江市。
        1975年毕业于南京大学化学系，1991年在日本东京工业大学获博士学位。长期从事分子材料与器件的研究。总结发展了高性能分子材料的设计思想和提出了性能调控的新方法。证实了扩展π体系是实现高迁移率的重要途径，合成了具有优异光电性能的新型π共轭分子材料。首次提出了液态铜催化剂生长石墨烯的概念，获得了高质量单晶石墨烯；制备了第一个氮掺杂的石墨烯，实现了对石墨烯电学性能的调控；开拓了在介电层上直接生长石墨烯的新方法。揭示了界面对器件性能的影响规律，开发了新的溶液法加工技术，实现了器件的多功能化。
       发表SCI论文500余篇(其中130余篇发表在影响因子大于10的期刊上)，他人引用2万余次，h因子大于80，获授权中国发明专利70项，出版专著一部及19章节，在国内外学术会议上做大会/邀请报告100余次。2007，2016年获国家自然科学二等奖各一项，2017年度获北京市自然科学一等奖。2014, 2015和2016年入选汤森路透全球"高被引科学家"目录。现为科技部国家重点基础研究发展计划（973计划）重大科学前沿领域第四届专家咨询组副组长、中国化学会理事、有机固体专业委员会副主任，和担任Scientific Reports, Nanoscale, Flexible Printed Electronics等6种期刊的编委/顾问委员会成员。
简历：
1975年，南京大学化学系毕业后分配到中国科学院化学所工作至今。
1985年至1988年在日本理化学研究所进修；
1991年于日本东京工业大学获博士学位；
1997年至1998年在美国东北大学进行访问研究；
2000年3月至6月美国俄亥俄州立大学和华盛顿大学访问教授；
2003年受聘为清华大学化学系兼职教授；
2008年至今受聘为武汉大学化学系兼职教授；
2004年1月至3月，日本京都大学客员教授。
发表论文400余篇，引用7000余次，其中他引4500次，H因子45。
获国家自然科学二等奖1项。



研究领域
    一、分子材料的设计与合成：设计、合成具有D-A或D-A-D结构(D:电子给体；A:电子受体)的有机化合物；综合性能优越的有机半导体和具有传感性能的材料。合成了经典半导体分子并五苯的衍生物并五噻吩、新型的四硫富瓦烯小分子。通过在DPP等聚合物中引入双键，证明延长π共轭可以提高聚合物的空穴迁移率[3],首次合成了性能优异的双极性材料双吡咯并吡咯二酮（2DPP）类聚合物，证明增加聚合物中受体的比例可以显著提高其电子迁移率。
    二、有机场效应晶体管及其有机微电子电路：制备高性能空气稳定的P型、N型或者双极性有机小分子或聚合物场效应晶体管,发明水漂浮法制备超薄柔性晶体管电路；制备三元器件组成的超薄柔性有机光电探测器。
     三、首次实现了氮掺杂的石墨烯制备；开发出生长高质量单晶石墨烯的新型液态催化剂；发展了在绝缘基底上制备石墨烯的方法；发展了一系列单晶石墨烯和h-BN的生长控制方法；揭示了石墨烯晶界的动力学形成过程的几何规律；溶液法石墨烯的制备/性质/应用；与日本Sony公司六年的合作研发碳材料经验，具有石墨烯粉体制备技术等。


代表论文：
1. Kai Liu, # Yingying Jiang, # Yaqian Jiang,# Yunlong Guo,* Yunqi Liu, Eiichi Nakamura,* Chemical Formation and Multiple Applications of Organic-Inorganic Hybrid Perovskite Materials, Journal of the American Chemical Society, 2019, 141, 1406-1414.
2. Jie Yang,# Yaqian Jiang,# Zeyi Tu,Zhiyuan Zhao,Jinyang Chen, Zhengran Yi,Yifan Li,Shuai Wang,* Yuanping Yi,* Yunlong Guo,*and Yunqi Liu* High-Performance Ambipolar Polymers Baesd on Electron-Withdrawing GroupSubstituted Bay-Annulated Indigo, Advanced Functional Materials, 2019, 29, 1804839.
3. Yingying Jiang,# Jingyang Chen,# Yunlong Sun, Qingyuan Li, Zhengxu Cai, Junyu Li, Yunlong Guo,* Wenping Hu,* Yunqi Liu,* Fast Deposition of Aligning Edge-on Polymers for High Mobility Ambipolar Transistors,   Advanced Materials, 2019,  31, 1805761.
4. Yunlong Sun, Yunlong Guo*, Yunqi Liu*, Design and synthesis of high performance π-conjugated materials through antiaromaticity and quinoid strategy for organic field-effect transistors, Materials Science & Engineering - R: Reports, 2019, 136, 13-26.
5. Xin Chen,# He Yang,# Bin Wu,* Lifeng Wang, Qiang Fu, and Yunqi Liu*, Epitaxial Growth of h-BN on Templates of Various Dimensionalities in h-BN–graphene Material Systems, Advanced Materials, 2019, 31, 1805582.
6. Kai Liu, Yunlong Guo*, Yunqi Liu, Recent Progress in Stretchable Organic Field-Effect Transistors, SCIENCE CHINA Technological Sciences ; 2019, 62, 1255-1276.
7. Wei Shi, Yunlong Guo,* Yunqi Liu,* When Flexible Organic Field-Effect Transistors Meet Biomimetics: A Prospective View of the Internet of Things, Advanced Materials, 2019, 1901493 (ASAP).
8. Qiangyuan Li, Yunlong Guo*, Yunqi Liu*, Exploration of Near-Infrared Organic Photodetectors, Chemistry of Materials, 2019, DOI: 10.1021/acs.chemmater.9b00966 (Asap)
9.Yunpeng Zhang,# Xiaotong Liu,# Shi Qiu, Qiuqi Zhang, Wei Tang, Hongtao Liu, Yunlong Guo*, Yongqiang Ma*, Xiaojun Guo*, and Yunqi Liu*, A Flexible Acetylcholinesterase-Modified Graphene for Chiral Pesticide Sensor, Journal of the American Chemical Society, ASAP, 2019, DOI: 10.1021/jacs.9b05724
10. Jing Ma, Zhiyuan Zhao, Yunlong Guo, Hua Geng, Yanan Sun, Jianwu Tian, Qiming He, Zhengxu Cai, Xisha Zhang, Guanxin Zhang, Zitong Liu*, Deqing Zhang*, Yunqi Liu, Improving the Electronic Transporting Property for Flexible Field-Effect Transistors with Naphthalene Diimide-Based Conjugated Polymer through Branching/Linear Side-Chain Engineering Strategy, ACS Applied Materials & Interfaces, 2019, 11, 15837-15844.
11. Huajie Chen*, Guosheng Cai, Ankang Guo, Zhiyuan Zhao, Junhua Kuang, Liping Zheng, Lingli Zhao, Jinyang Chen, Yunlong Guo*, Yunqi Liu*, Low Band Gap Donor–Acceptor Conjugated Polymers with Indanone-Condensed Thiadiazolo[3,4-g]quinoxaline Acceptors, Macromolecules, 2019, 10.1021/acs.macromol.9b00834.

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12月18日下午，中国科学院院士刘云圻聘任仪式在光华楼举行，复旦大学副校长徐雷为刘云圻颁发聘任证书。
刘云圻长期从事分子材料与器件研究，并取得了突出的学术成就。分子材料和器件是材料科学的前沿领域，刘云圻的加盟不仅会带动材料科学系在分子材料与器件学科方向的快速发展，也将有助于提升复旦大学材料学科的建设水平。
聘任仪式上，徐雷指出，当前复旦大学正处在“双一流”建设的关键时期，一流大学需要顶尖的专家学者。他认为，刘云圻的加入，必将引领复旦大学材料科学与工程一流学科建设更加符合新时代新要求，更加适应国家重大战略发展需要，在科研前沿和人才培养等各方面取得重要突破。他指出，学校将在团队建设、科学研究和资源保障等方面全力支持刘云圻的工作，为团队提供更好的科研平台。
刘云圻在讲话中对受聘于复旦大学感到荣耀，对复旦大学及材料科学系在团队初期建设提供的大力支持表示感谢。他强调，加入复旦是一个新起步，团队成员将会继续刻苦努力、锲而不舍、勇于挑战科学难题，追求科学卓越，取得更多原始创新成果，为进一步提高复旦大学科学研究水平,服务国家创新驱动发展战略，添砖加瓦，做出新贡献。
据介绍，刘云圻系中国科学院院士，发展中国家科学院院士，以及中国化学会理事、有机固体专业委员会副主任，主要从事分子材料的设计合成及其在光电功能器件中的应用研究。他曾发表SCI论文600余篇，他人引用3万余次，H因子大于80，获授权中国发明专利70项。他曾于2007、2016年分别获得国家自然科学二等奖，2017年获北京市自然科学一等奖，并于2014至2018年连续5年入选汤森路透全球”高被引科学家”。

suguang

跨越物理学和仿生学领域的柔性有机电子产品的出现为日常生活中日益简单和智能的产品创造了可能性。有机场效应晶体管（OFET）具有固有的柔韧性、重量轻和生物相容性，在仿生学领域显示出巨大的希望。中国科学院化学研究所刘云圻院士和郭云龙团队通过将这种仿生OFET应用于物联网（IoT），可以想象未来的新产品和用例。然后，综述了柔性OFET及其在仿生系统中的应用的最新进展。并讨论了实现灵活OFET的策略。同时，详细回顾了仿生感觉系统和神经系统的最新进展。OFET被证明是模仿感觉和神经系统的最佳系统之一。此外，还介绍了基于OFET的信息存储的简要讨论。最后，提供了在物联网中利用仿生OFET的个人观点以及该研究领域的未来挑战。

Shi, W., Guo, Y., Liu, Y., When FlexibleOrganic Field‐Effect Transistors Meet Biomimetics: A Prospective View of the Internet of Things. Adv. Mater. 2019, 1901493.

https://doi.org/10.1002/adma.201901493

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.201901493

wangqiu

中共中央、国务院2020年1月10日在北京隆重举行2019年国家科学技术奖励大会。党和国家领导人习近平、李克强、王沪宁、韩正等出席大会并向获得国家最高科学技术奖、国家自然科学奖、国家技术发明奖、国家科学技术进步奖和中华人民共和国国际科学技术合作奖的代表颁奖。中共中央政治局委员、国务院副总理刘鹤在大会上宣读了《国务院关于2019年度国家科学技术奖励的决定》。2019年度国家科学技术奖共授奖296个项目和12名科技专家。  
　　化学所完成的项目“石墨烯的可控生长及其性能调控”（完成人：刘云圻、于贵、武斌、魏大程、陈建毅）荣获2019年国家自然科学二等奖。  

      

rongshuxia

根据近日北京市科委公布的2021年度北京市科学技术奖公报，化学所牵头完成的项目“高迁移率分子半导体材料的设计合成与晶体管器件的基础研究（完成人：刘云圻、于贵、郭云龙等）”获得2021年度北京市科学技术奖自然科学一等奖。   

　　该项目突破了传统的聚合物半导体的分子设计理念，获得了创纪录的高迁移率p-型聚合物半导体材料，开发出高迁移率n-型聚合物半导体材料，制备了柔性高迁移率输运平衡的双极性有机场效应晶体管，并构建了低能耗和性能优异的柔性光热传感器和高光敏感度的光晶体管。

leizhenyu

有机无机金属卤化物钙钛矿材料凭借高的载流子迁移率在晶体管研究中引起广泛关注，近年来钙钛矿场效应晶体管（PeFET）在探测器和突触中的应用已得到深入研究。然而，基于PeFET的突触仍然很难将优异的载流子传输能力、光敏性和非易失性存储效应集成到一个器件中，制约了进一步开发仿生电子器件和边缘计算。

图.（a）能级结构图；（b）两种器件结构和界面修饰层CL-PVP分子式；(POE)2SnI4晶体管在暗态和（c）红、（d）绿、（e） 蓝光下的转移曲线；（f）存储器件在写入和擦除后的持续性性能；（g）光脉冲信号下的多级存储。

　　在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的支持下，化学研究所有机固体院重点实验室郭云龙研究员和刘云圻院士团队通过掺入π共轭芘氧乙基铵（POE）配体合成了二维钙钛矿(POE)2SnI4，并进行了系统研究以获得增强的性能和可靠的PeFETs。优化后的钙钛矿晶体管显示出超过0.3 cm2 V-1s-1的空穴迁移率、高重复性和工作稳定性。同时，光存储器件表现出优异的光响应特性，开关比高于105，高的可见光响应度（>4×104 A/W），稳定的存储擦除循环以及具有竞争力的存储保持性能（104 s）。光诱导存储行为得益于二维钙钛矿“量子阱”在黑暗下的绝缘性质及其优异的光敏感特性，在N2气中40天后器件仍保持优异的光信息存储行为。通过对入射光脉冲强度与时间的控制，该团队首次实现了二维钙钛矿薄膜晶体管对极弱光信号的多级光存储行为，这些研究不仅拓宽了二维钙钛矿在光电应用领域的研究范围，也进一步推动了多功能集成器件的实验研究与未来应用。相关研究工作发表在Adv. Mater. 2023, 2307326上（DOI: 10.1002/adma.202307326）。文章的第一作者为博士后张帆，共同第一作者为博士生邵明超，通讯作者为郭云龙研究员和刘云圻院士。