东京工业大学对有机分子纳米导线的进一步研究，有望使微电子器件进一步小型化

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   毋庸置疑，现在用于制造先进集成电路的传统技术和材料或许可能已经达到我们对最终产品所限定的尺寸要求。

COPV6（SH）2分子以及其与ELGP纳米间隙的结合。（a）COPV6（SH）2的分子结构。（b）ELGP纳米间隙电极的透射电子显微镜（TEM）俯视图和横向断面图。（c）分子与纳米间隙结合的不同方式，当第一种类的粘合（SAuSH）发生时即获得了热稳定装置。（图片来源：东京工业大学）

      换而言之，如果不对其他类型的材料和技术加以检验、测试，就如有机分子电子器件，那几乎不可能进一步实现对电子器件的小型化。但是通常情况下，由于有机分子和金属电极易受热扰动的影响，这类设备只有在非常低的温度下才能发挥作用；而纳米间隙电极是构筑纳米器件的基础。

      虽然ELGP电极是特殊的无电镀金的纳米间隙电极，而且在其间隙处表现出优异的热稳定性，但克服上述问题对开发创新新型的分子线依然很重要。为此，东京工业大学的Yutaka Majima教授及其研究小组研发了一种长4.5nm的分子:COPV6（SH）2(disulfanyl carbon-bridged oligo-(phenylenevinylene))。

      这种分子具有一个刚性棒状π共轭排列结构，其中四个4-辛基苯基将其与周围的空间和电子隔离开。存在于分子中的两个巯基末端可能会与ELGP纳米间隙中的相对金表面结合。更有意思的是，科学家们发现，如果COPV6（SH）2分子与金表面以特定的方式结合，我们称之为SAuSH，那么这种器件将具有相干谐振电子隧穿器件的属性，使得这批电子器件在电子、纳米技术领域有着更广泛的应用前景。

      更为重要的是，随后我们发现该器件只是局部稳定，在9K和300K下表现出类似的电压-电流曲线。当使用柔性好的有机分子导线时，这一点根本无法保证实现。此外，COPV6（SH）2分子能够以多种方式与ELGP纳米间隙结合，但研究人员对如何控制他们获得的设备类型却一无所知。

      尽管如此，科研工作者还是成功地测量了设备的电性能，详细阐述了控制其行为的隐藏量子机制。同时，他们还用理论推导的数值证实了这一结果。基于此，他们对SAuSH设备的工作原理和其他的配置有了更进一步的了解。

      随后我们便致力于提高SAuSH装置的规模化产量，因为其当前产量还不到1％。 相关研究人员认为，分子量过高和刚性结构以及ELGP电极的稳定性将决定了产品的高稳定性和低产量。由于不同的COPVn类分子和几种ELGP纳米间隙配置间存在多种可能的变化，因此通过调整所用分子和间隙的技术，有望完成这一挑战，达到更高的产率。当然，该研究报告的数据将为即将进行的分子电子学研究的提供理论基础。