江苏科技大学材料学院兰睿

chengban

兰睿，女，1983年1月生；工学博士，江苏科技大学副教授。2007年10月获得日本文部科学省奖学金，到日本东京工业大学硕博连读，于2012年3月获得工学博士学位。2011年1月获得日本理工学振兴会研究助成基金。2012年4月-2013年3月在德国亚琛工业大学做博士后。在《J Appl Phys》，《Jpn J Appl Phys》《J Electron Mater》等SCI收录杂志上发表第一作者论文多篇。主持完成国家自然科学基金（No.51401090）、江苏省自然科学基金（BK20140515）；获2014年江苏省双创计划--境外世界名校博士项目资助。


兰睿 副教授
材料及成型系
个人邮箱：dutrlan@just.edu.cn
办公地点：材料学院219
通讯地址：
邮政编码：

研究方向
1.相变存储材料
2.热电薄膜材料
3.材料表面改性
4.高熵合金涂层
教育经历
2012/04-2013/03   德国亚琛工业大学       物理系        博士后   
2009/10-2012/03  日本东京工业大学       材料工学系    博士
2007/10-2009/03  日本东京工业大学       材料工学系    硕士
2005/09-2007/09  中国科学院金属研究所   钛合金研究室  硕士研究生
2001/09-2005/07       大连理工大学            材料学院     学士
课程教学
《材料科学基础C》
《传热和传质基本原理》
《专业英语》
《材料科学与工程前沿（全英文）》
科研项目
1、国家自然科学基金青年项目，课题号51401090、元素掺杂GST相变存储薄膜的热传导性能与机理研究，2015/01-2017/12，主持。
2、江苏省自然科学基金青年项目，课题号BK20140515、N掺杂GST相变存储薄膜的热传导机理研究，2014/07-2017/6，主持。
3、江苏省“双创人才”，2014年
论文
1.Lan R., Endo R., Kuwahara M., Kobayashi Y. and Susa M.Thermal and Electrical Conductivity of Ge1Sb4Te7 Chalcogenide Alloy,Journal of Electronic Materials, 46 (2017) 955–960.
2.Lan R., Endo R., Kuwahara M., Kobayashi Y. and Susa M.Density measurement of solid and molten Sb2 Te3chalcogenide alloy by sessile drop method，High Temperatures-High Pressures，46（2017）219-229.
3. Lan R., Endo R., Kuwahara M., Kobayashi Y. and Susa M. Electrical and heat conduction mechanisms of GeTe alloy for phase change memory application, J. Appl. Phys. 112 (2012) 053712-1-6.
4.Lan R., Endo R., Kuwahara M., Kobayashi Y. and Susa M. Thermal conductivities and conduction mechanisms of Sb-Te Alloys at high temperatures, J. Appl. Phys. 110 (2011) 023701-1-11.
5. Lan R., Endo R., Kuwahara M., Kobayashi Y. and Susa M. Thermal Conductivity Measurements of Solid Sb2Te3 by Hot-Strip Method, Jpn. J Appl. Phys. 49(2010) 078003-1-2.

mifeng

日前，世界著名学术出版机构Springer Nature出版了由我校材料学院兰睿副教授的英文专著《Thermophysical properties and measuring technique of Ge-Sb-Te alloys for phase change memory》（相变存储材料Ge-Sb-Te合金的热物理性能及其测量技术）。Springer Nature是目前自然科学、工程技术和医学(STM)领域全球最大的图书和学术期刊出版社之一，以其严谨的学术态度和严格的出版标准闻名于世，超过200位诺贝尔奖、费尔兹奖获得者选择Springer发表其科研成果。
相变存储器（PCRAM）作为一种新型的非易失性存储技术NVM技术，具有体积可缩性好、读写速度快、存储密度高等优点而受到广泛关注，同时具有主存和外存的潜力，这可能给未来的存储体系结构带来重大变化，被认为是最有前途的NVM技术之一，可以完全取代DRAM。该书为从事相变存储材料性能研究、相变存储器件结构优化以及工业模拟等研究领域的科研人员提供了参考。
兰睿副教授在东京工业大学取得博士学位，随后赴亚琛工业大学，在国际知名专家Matthias Wuttig教授指导下开展相变存储材料的博士后研究。2013年入职以来，深入开展相变存储材料、热电薄膜材料、高熵合金涂层和半导体材料的研究，并取得成果。该专著的出版也获得了国家自然科学基金委、江苏省科技厅和我校“深蓝人才工程”等项目的支持。