脉冲激光沉积制备非晶La0.75Sr0.25MnO3薄膜用于半透明阻变存储器 Amporphous La0.75Sr0.25MnO3 Thin Film Fabricated by Pulsed Laser Deposition as a Medium Layer for Semi-transparent Resistive Random Access Memory
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张佳旗 吉林大学化学学院无机合成与制备化学国家重点实验室, 长春 130012
吴小峰 吉林大学化学学院无机合成与制备化学国家重点实验室, 长春 130012
马新育 吉林大学化学学院无机合成与制备化学国家重点实验室, 长春 130012
袁龙 吉林大学化学学院无机合成与制备化学国家重点实验室, 长春 130012
黄科科 吉林大学化学学院无机合成与制备化学国家重点实验室, 长春 130012
冯守华 吉林大学化学学院无机合成与制备化学国家重点实验室, 长春 130012 shfeng@jlu.edu.cn
摘要: 用脉冲激光沉积方法制备非晶La0.75Sr0.25MnO3(a-LSMO)薄膜作为阻变器件(Ag/a-LSMO/ITO)的中间层,所得器件具有良好的非易失性和双极阻变行为。ITO衬底及超薄a-LSMO薄膜具有很高的可见光透过率,从而可制备半透明阻变器件。通过高分辨透射电镜直接观测到了在银电极与ITO电极间的银导电细丝。器件的阻变特性归因于在非晶镧锶锰氧层中的银导电细丝的生长与断裂。
关键词: 阻变存储器 锰氧化物 脉冲激光沉积 钙钛矿
基金项目: 国家自然科学基金(No.21427802,21671076)资助项目。
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