南开大学材料学院孙甲明教授

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孙甲明教授，博士生导师    §    副院长
教育部新世纪优秀人才
二级单位：光子学/电子学材料研究中心
办公电话：022-23508033
电子邮箱：jmsun@nankai.edu.cn
办公地点：津南校区材料楼13？室
通讯地址：天津市海河教育园区同砚路38号 南开大学津南校区材料楼13？室（300350）
主页网址：http://my.nankai.edu.cn/_s125/main.psp

研究方向
        半导体光电子学薄膜材料与器件，复合纳米光电子功能材料与器件。涉及III-V族、II-V族半导体材料、硅基发光材料，稀土发光材料、high-K微电子介质材料和储能材料，宽禁带透明导电材料、自旋电子学材料。长期从事分子束外延、MOCVD半导体材料外延生长和原子层沉积、PECVD、电子束蒸发、磁控溅射和薄膜沉积技术研究工作。近年来致力于以原子层为单位的数字化材料合成技术和新型纳米薄膜光电子器件研制工作。

个人简历
教育经历：
1995/9-1998/7，中国科学院长春光机与物理所，凝聚态物理博士，导师：范希武研究员
1991/9-1994/7，中国科学院光机与物理所，凝聚态物理硕士，导师：范希武，钟国柱研究员
1987/9-1991/7，吉林大学，固体物理学专业学士，导师：杨玉琨教授
研究经历：
2015/7-至今，南开大学，材料科学与工程学院，教授
2006/10-2015/6，南开大学，物理学院，教授，筹建了硅光子学与储能器件实验室，从事原子层沉积技术和纳米复合光电子功能材料和器件研究工作。
2001/10-2006/9，德国开姆尼茨罗森道夫研究中心离子束物理和材料研究所，博士后，从事高效率硅基电致发光器件的研究工作，导师：M.Helm教授和W.Skorupa博士
2000/9-2001/9，日本东京大学工学部电子科学系，博士后，从事分子束外延和Mn掺杂III-V族稀磁半导体自旋电子学材料研究工作。导师：田中雅明
1998/9-2000/10，中国科学院物理研究所，博士后。从事分子束外延和III-V族半导体量子阱光折变材料和器件，半导体量子阱微腔激光器研究工作。导师：周均明研究员
1991/9-1998/7  硕士和博士研究生，利用电子束蒸发和磁控溅射高真空薄膜沉积技术研制交流薄膜电致发光计算机平板显示器和硅基复合蓝色光致发光和电致发光器件。

社会兼职：
中国发光学会委员        （2010－至今）
掺杂纳米材料学会委员 （2007－至今）
中国电工学会半导体光源系统学术委员会委员（2014-2018）

获奖情况：
1998年度中科院院长奖学金优秀奖
2004年度德国Rossendorf研究中心先进科研奖

代表性成果
Structure and photoluminescence of the TiO2 films grown by atomic layer deposition using tetrakis-dimethylamino titanium and ozone, Chunyan Jin, Ben Liu, Zhongxiang Lei and Jiaming Sun, Nanoscale Research Letters 10 (95), 1-9 (2015).
Strong electroluminescence from SiO2-Tb2O3-Al2O3 mixed layers fabricated by atomic layer deposition,  L. Rebohle, M. Braun, R. Wutzler, B. Liu, J.M. Sun, M. Helm, W. Skorupa Appl. Phys. Lett. 104, 251113 (2014).  
Electrical and optical properties of Al-doped ZnO and ZnAl2O4 films prepared by atomic layer deposition， Qiongqiong Hou, Fanjie Meng and Jiaming Sun, Nanoscale Research Letters 8, 144 (2013).
Highly efficient silicon light emitting diodes produced by doping engineering, Jianming Sun, M. Helm, W. Skorupa, B. Schmidt, A. Mücklich, Frontiers of Optoelectronics, 5(1), 7-12(2012).
Light emissionfrom ion-implanted silicon, J. M. Sun, M. Helm, W. Skorupa, B. Schmidt, and A. Mücklich, Phys. Status Solidi C 6 (3), 716-720 (2009).
Giant stability enhancement of rare-earth implanted SiO2 light emitting devices by an additional SiON protection layer, J. M. Sun, L. Rebohle, S. Prucnal, M. Helm, and W. Skorupa, Appl. Phys. Lett. 92, 071103 (2008).
Increase of blue electroluminescence from Ce-doped SiO2 layers through sensitization by Gd3+ ions, J. M. Sun, S. Prucnal, W. Skorupa, M. Helm, L. Rebohle, and T. Gebel, Appl. Phys. Lett. 89, 091908 (2006)
Bright green electroluminescence from Tb3+ in silicon metal-oxide-semiconductor devices, J. M. Sun, W. Skorupa, T. Dekorsy , and M. Helm, J. Appl. Phys. 97, 123513 (2005).
Efficient ultraviolet electroluminescence from a Gd-implanted silicon metal–oxide–semiconductor device, J. M. Sun, W. Skorupa, T. Dekorsy, and M. Helm, Appl. Phys. Lett. 85, 3387 (2004).
Below-band-gap electroluminescence related to doping spikes in boron-implanted silicon pn diodes, J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, A. Mücklich, and M. Helm, Phys. Rev. B 70, 155316 (2004).