中科院苏州纳米所张泽洪

dasaochu

姓 名:张泽洪       
性    别:男
职 务:
职    称:研究员
学 历:博士研究生       
通讯地址:苏州工业园区若水路398号
电 话:
邮政编码:215123
传 真:
电子邮件:zhzhang2010@sinano.ac.cn
简历：
　　1999年清华大学本科毕业，2002年中国科学院半导体所硕士毕业，2005年美国University of South Carolina大学博士毕业，并从事博士后工作。2006年起在美国硅谷Applied Material公司任资深关键客户技术师。 2011年加入中科院苏州纳米所，任研究员,博士生导师。先后入选国家“青年##计划”，中国科学院“百人计划”，和“江苏省高层次创新创业人才引进计划”。
　　张博士目前的主要研究领域包括碳化硅材料CVD生长，以及高温CVD设备研制。他主持的科研项目有（1）中国科学院科研装备研制项目“碳化硅/石墨烯生长用高温CVD设备的研制”（2）江苏省科技支撑项目“超厚SiC外延薄膜高速生长设备和生长技术研发及产业化”（3）国家电网智能电网研究院 “超厚碳化硅材料外延关键技术研究”（4）中国科学院科研装备研制项目“用于MOCVD石墨基座的碳化硅涂层生长设备”。张博士主持设计和研制的碳化硅外延设备，实现了1600摄氏度高温下，生长4英寸碳化硅外延片，生长速度超过10微米/小时。申请专利8项。
　　张博士是国际上首批对碳化硅材料中的基面位错做出详细研究的科学家之一。他的研究确认了基面位错在外延层中的衍变（Appl. Phys. Lett. 87, 161917），发明了一种新的方法来抑制基面位错在外延层中的延生（Appl. Phys. Lett.87, 151913），并在国际上首次解释了其机制（Appl. Phys. Lett. 89, 081910）。张博士也是将CVD纳米薄膜技术应用到20纳米集成电路制造的科学家之一。他研制的多款纳米薄膜生长工艺和设备，已经成功应用于大规模工业化生产包括苹果手机CPU在内的集成电路芯片的生产线上。
　　张博士致力于青年科技人才的教育，近年来在半导体材料和设备领域培养了多名科研骨干。
研究领域：
碳化硅材料CVD生长，高温CVD设备研制