中科院苏州纳米所刘虹越

dasaochu

姓 名:刘虹越       
性    别:男
职 务:
职    称:研究员
学 历:博士研究生       
通讯地址:苏州工业园区若水路398号
电 话:
邮政编码:215123
传 真:
电子邮件:hyliu2010@sinano.ac.cn
简历：
    刘虹越，美籍。2010年2月入所，研究员，任信息存储联合实验室主任。1996年在宾夕法尼亚州立大学获博士学位。曾任美国Seagate公司高级工程总监（senior director of engineering），主持和参与研发过世界第一款MRAM 芯片、美国国防部提供2000万美元的研发经费支持的世界第一款基于GMR 的MRAM 芯片研发、各类抗辐射电路模型的开发。2010年2月起在我所从事闪存为介质的固态硬盘项目研究，研发课题的主要方向将在如下领域中选择：闪存控制器设计，闪存使用算法的优化，高带宽存储系统的解决方案，存储系统可靠性的提高，存储软件的开发，固态硬盘在存储架构中的新应用，下一代非易失性存储器技术等。
研究领域：
1. 固态存储控制器的FTL核心算法；
2. 高速大容量PCIe固态存储硬盘；
3. 固态存储硬盘在存储体系中的分级存储管理；
4. 在大规模高性能计算中作为高速缓存的管理机制。