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金刚石半导体具有超宽禁带(5.45eV)、高击穿场强(10MV/cm)、高载流子饱和漂移速度、高热导率(22 W/cmK)等材料特性,以及优异的器件品质因子(Johnson、Keyes、Baliga),采用金刚石衬底可研制高温、高频、大功 ...
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