上海大学分析测试中心少子寿命测试仪(WT-2000型)

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仪器价格：250,000.00美圆               
仪器国别：匈牙利
购置年月：2008年6月
放置地点：上海大学宝山校区B楼220a室
联系人：  楼燕燕
联系电话：021-66135067

仪器简介:
从匈牙利Semilab公司引进，主要应用于半导体/光电/光伏材料（单晶/多晶硅片及硅锭）的工艺控制及测试手段。通过测量少子寿命，可做出晶体生长及工艺过程引入的缺陷图及硅片中的Fe元素污染图。仪器主要功能有微波光电导衰减法测少子寿命，光诱导电流测试，无接触方块电阻测试，涡流场体电阻率测试，Fe元素含量测试。

仪器的主要技术指标:
1. 微波光电导衰减法测少子寿命:
　1.1 寿命测试范围：0.1 us – 30 ms   
　1.2 测试分辨率：0.1%   
　1.3扫描分辨率：0.5,1,2,4,8,16mm  
　1.4 样品的电阻率范围：0.1 – 1000 ΩCM  
　1.5 测试光点直径：1mm  
　1.6 测试速度：30ms/数据点
　1.7 最大测试点数：超过360000  
　1.8激光源波长：904nm  
　1.9光源脉冲宽度：200ns,fall time 10ns
2. 光诱导电流测试
　2.1 扫描区域：最大210 ? 210 mm  
　2.2 测试电流范围：1 uA – 1mA  
　2.3 光源波长：403，880，950，980 nm  
　2.4 选加功能：硅片，电池的上述激光波长反射率扫描，电池的IQE，EQE扫描  
　2.5 通过两个以上的激光器，可以计算少数载流子的扩散长度
3. 方块电阻测试:
　　无接触方块电阻测试功能，以取代传统的四探针
　3.1 可测试样品：np or pn structure  
　3.2 测试范围：10 Ω/sq to 1000Ω/sq  
　3.3 测试分辨率：2%  
　3.4 扫描分辨率：10mm  
　3.5 测试精度：< 3%  
　3.6 测试重复性：< 1%
4. 体电阻率扫描:
　　涡流场测试，无接触，无损伤测试
　4.1 测试范围：0.5 – 20 ΩCM      
　4.2 测试精度： 3-6 %   
　4.3 测试重复性： 2%            
　4.4 探头直径：5 mm
5. p型硅样品，范围：Fe含量1.0E10至1.0E15atom/cm3

收费标准:
     待定