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江苏鲁汶仪器完成新一轮融资,中科创星领投

2020-4-22 11:29| 发布者: zhongyuzhuan| 查看: 43| 评论: 0

摘要: 高端半导体设备企业——江苏鲁汶仪器完成过亿元B轮融资,本轮融资由中科创星领投,中冀资本、中域资本、祥晖资本、红星美凯龙、中杰投资等多家投资机构跟投,老股东汉唐周本轮继续追投数千万元。本次融资资金主要用于团队建设、设备快速研发和迭代,市场拓展备货等方面。鲁汶仪器成立于2015年,创始团队主要由来自国内外著名半导 ...

高端半导体设备企业——江苏鲁汶仪器完成过亿元B轮融资,本轮融资由中科创星领投,中冀资本、中域资本、祥晖资本、红星美凯龙、中杰投资等多家投资机构跟投,老股东汉唐周本轮继续追投数千万元。本次融资资金主要用于团队建设、设备快速研发和迭代,市场拓展备货等方面。

鲁汶仪器成立于2015年,创始团队主要由来自国内外著名半导体设备研究或生产机构的资深半导体工艺和设备专家组成,在半导体刻蚀设备及工艺开发方面具有深厚的技术积累,尤其对磁性材料刻蚀技术有独到的理解。鲁汶仪器创造性的提出了ICP+IBE+PECVD多腔体刻蚀技术方案,配合鲁汶仪器专利技术的腔体在线清洗技术,目前已获得多家国内外顶级研发机构、生产企业的高度评价,有望解决困扰业界的磁性薄膜材料刻蚀难题,为MRAM存储器的大规模量产提供可靠、经济的刻蚀解决方案。

中科创星投资总监卢小保认为,存储器是半导体最大的一个细分领域,占到了半导体市场份额的1/3,新兴存储器如MRAM在功耗、读写速度、寿命、非易失性、工艺可微缩性、可靠性等各方面优势明显,有望取代DRAM,甚至部分取代SRAM,成为通用型存储器类型。目前STT-MRAM已经开始在嵌入式存储器领域发力,TSMC、三星、Globalfoundries等领先企业都发布了嵌入式STT-MRAM工艺,SOT-MRAM研发进展顺利,有望成为真正意义上的通用存储器。MRAM核心难点在于薄膜沉积和磁性材料刻蚀,尤其是磁阻隧道结的刻蚀,是困扰工业界的最大难题,目前工业界尚不能提供理想的刻蚀解决方案,鲁汶仪器创造性的提出了多腔体刻蚀+腔体在线清洗技术,有望率先解决MRAM器件刻蚀的技术瓶颈,为MRAM存储器的规模量产提供解决方案。


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