TESCAN AMBER X双束电镜（FIB-SEM）

TESCAN AMBER X等离子FIB和无漏磁超高分辨场发射扫描电镜的完美结合,无限扩展在材料表征领域的应用

TESCAN AMBER X 是完美结合了分析型等离子FIB和超高分辨(UHR)扫描电镜的综合分析平台,能够同时提供高效率、大面积样品刻蚀,多模态的样品表征,以及在无镓注入干扰状态下进行样品制备和改性。 TESCAN AMBER X 具备快速精确的等离子体FIB刻蚀和无漏磁超高分辨SEM成像的特性,使其成为多项研究的首选方案,例如快速制备出宽度可达1 毫米的截面; 高通量、多模态的FIB-SEM断层扫描,可快速获得三维重建图像和可视化数据; 元素化学和/或晶体取向研究; 无注入离子干扰状态下制备出微米和纳米结构,以便通过其它分析方法进行后续测试或表征等。

TESCAN AMBER X主要特性

iFIB+ 氙等离子FIB镜筒​

最大离子束流可达1 μA, 可实现超高刻蚀速率

分辨率 : < 15 nm

无与伦比的超大视野:1 mm @ 30 keV

快速精确的压电驱动光阑变换器

BrightBeam™ 超高分辨SEM镜筒技术​

无漏磁超高分辨SEM镜筒可以最大程度实现各类样品的分析和表征

分辨率:1.5 nm @ 1kV

优化的镜筒内探测器系统,进一步提高了探测能力

光阑优化提升了分辨率,特别是在高束流下分辨率

最新的 Essence™ 电镜软件和用户界面​

用户界面友好

可定制化的布局

TESCAN AMBER X应用

刻蚀和抛光大横截面

在3.5小时内完成宽度达1 mm横截面的刻蚀, 然后使用TESCAN专有的摇摆样品台,以较小的离子束流抛光横截面,这样可以抑制”幕帘效应“(curtaining),同时还可以在刻蚀过程中原位监控横截面质量。

FIB-SEM断层扫描​

AMBER X 是多尺度、多模态微结构表征的最佳选择。这款等离子FIB支持快速地刻蚀和抛光样品。TESCAN用于静态3D EBSD数据采集的专利技术和嵌入式FIB-SEM层析成像模块,可以支持各种成像和分析探测器,增加了实用性,使断层扫描技术可以快速、精确且便捷地应用于各类材料的分析。

无镓干扰状态下的样品制备

传统镓离子 FIB加工时由于镓离子污染或注入可能导致的微观结构和/或机械性能改变。氙是一种惰性元素,所以可以实现对铝等材料进行无污染的样品制备和加工。

  FIB-SEM双束电镜自上世纪九十年代问世以来就受到材料研究工作者的青睐,尤其是对于半导体领域。在1990年Orsay Physics就为IBM研制出了世界上第一台FIB-SEM双束系统。所谓的FIB-SEM双束电镜就是在扫描电镜的基础上增加了聚焦离子枪(FIB)。因为FIB具备微区加工能力,双束电镜不仅能够观察和分析样品的表面特征,同时可以利用离子枪的切割能力,观察和分析样品表层下面的微区特征;因此FIB和SEM的结合发展成为一种功能更加全面的材料微区分析手段。

关于 TESCAN

作为科学仪器的全球供应商之一,TESCAN 正为其在设计、研发和制造扫描电子显微镜及系统解决方案在不同领域的应用方面树立良好的声誉和品牌。

TESCAN 专注于研究、开发和制造科学仪器及实验室设备,例如:

扫描电子显微镜

电镜附件

光学显微镜配件和图像处理技术

独特的真空样品室和定制系统

探测器系统

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