浙江大学杭州国际科创中心博士后研究人员招收计划 ——宽禁带半导体材料与器件专项

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浙江大学杭州国际科创中心（以下简称杭州科创中心）是新时代杭州市与浙江大学深化全面战略合作的重大项目。杭州科创中心聚焦物质科学、信息科学、生命科学的会聚融通，推动在微纳尺度下多学科交叉的颠覆性技术革命，支撑未来高端制造和未来产业发展，打造长三角一体化发展的重要创新极，成为具有世界声誉的创新生态区和人才汇聚地。为打造yi liu的人才队伍，杭州科创中心现向全球发布“博士后研究人员招收计划-宽禁带半导体材料与器件专项”，欢迎优秀青年才俊加盟。


该专项依托杭州科创中心先进半导体研究院实施，研究院聚焦宽禁带半导体领域的国际前沿和重大科学问题，瞄准国家在信息、能源等领域的重大战略需求，依托长三角区域领先的产业优势、浙江大学雄厚的科研实力和杭州科创中心创新的体制机制，打造一个前沿技术创新研发平台，推动产学研深度融合发展。研究院由杭州科创中心科学家杨德仁院士牵头建设，学术委员会主任由郑有炓院士担任，院长由盛况教授担任。研究院将集中建设超净实验室和宽禁带半导体材料生长、芯片研制、封装测试及应用的先进研发设施和大型仪器设备。


一、拟重点引进方向
1.宽禁带半导体材料及装备（氮化镓、碳化硅、氧化镓、氮化铝和金刚石等）；
2.宽禁带半导体器件（基于碳化硅和氮化镓等材料的功率器件、射频器件、芯片集成技术及其他相关技术）；
3.封装测试和应用（功率器件、射频器件及其他器件相关的封装、模块集成、测试技术和应用技术）；
4.其它相关领域。


二、申请条件
1.近三年内获得博士学位，品学兼优，身体健康，原则上不超过35周岁；
2.保证全职从事博士后研究工作，不招收在职人员；
3.具有物理、材料、微电子、电气工程等学科背景和科研经验，从事过交叉学科研究者优先考虑；
4.具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力；
5.具有良好的英语听说读写能力；
6.近三年内以第一作者发表1篇以上有一定影响力的研究论文，研究成果突出者优先考虑。


三、工作地点与薪酬待遇
1.工作地点：杭州。
2.薪酬：提供有竞争力的市场化薪酬，同步享受杭州市萧山区相关人才政策。


3.其他待遇：
（1）提供yi liu的实验与科学研究条件；
（2）可提供萧山精装修人才公寓或中心公寓；
（3）参与杭州科创中心重大课题研究并取得显著成绩的，可获得额外资助或津贴。
（4）在站期间，符合条件的博士后研究人员可申报杭州科创中心相关系列高级专业技术职务；
（5）工作期间表现优秀、业绩突出的博士后，如符合要求，可优先推荐申请浙江大学教师岗位或杭州科创中心技术研发岗位。


四、申请材料
申请材料包括：①《浙江大学杭州国际科创中心博士后申请简表》（见附件）;②表明研究能力和学术水平的成果（如获奖情况、鉴定、项目、学术论文等）及佐证材料；③博士学位论文。申请人将以上材料电子版发送至杭州科创中心指定邮箱，附件和邮件主题均以“博士后岗位+姓名”标明。
博士后研究人员招收计划
-宽禁带半导体材料与器件专项