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[专家学者] 中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜

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发表于 2019-10-9 17:11:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
郭炜,博士,中国科学院宁波材料技术与工程研究所副研究员,硕士生导师。2010年本科毕业于上海交通大学,2014年博士毕业于美国北卡罗来纳州立大学。2015年2月加入美国应用材料有限公司任研发工程师,2016年加入中科院宁波材料所。研究方向专注于第三代半导体材料与器件。目前在AlGaN 材料外延和极性调控、新型紫外LED/紫外激光器、GaN/AlGaN 电子电力器件等领域取得了较多国内外领先成果。在SCI 期刊杂志发表论文40 篇,论文引用600 余次,申请中国发明专利8 项。郭博士获得了浙江省钱江人才称号、宁波市“3315 创新团队计划”人才称号、宁波市镇海区引进高层次人才称号等奖励。


郭炜  男  硕导  中国科学院宁波材料技术与工程研究所
电子邮件: guowei@nimte.ac.cn
通信地址: 浙江省宁市镇海区中官西路1219号


教育背景
2010-09--2014-12   北卡州立大学   博士学位
2006-09--2010-06   上海交通大学   学士学位
   
工作简历
2016-02~现在, 中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 副研究员
2015-02~2016-02,美国应用材料有限公司, 工艺工程师
2010-09~2014-12,北卡州立大学, 博士学位
2006-09~2010-06,上海交通大学, 学士学位
   
奖励信息
(1) 宁波市镇海区2017年引进高层次人才创业项目, 市地级, 2017
专利成果
( 1 ) AlGaN 基紫外LED 器件及其制备方法与应用, 2018, 第 2 作者, 专利号: 2018104323202
( 2 ) 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长AlmGa1-mN 的方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710245266.6
( 3 ) 太阳能电池及其制造方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201610343877.X
发表论文
(1) Single peak deep ultraviolet emission and high internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on large miscut sapphire substrates, Superlattices and Microstructures, 2019, 第 11 作者
(2) Comparative study on luminescence extraction strategies of LED by large-scale fabrication of nanopillar and nanohole structures, Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 第 11 作者
(3) Lateral-Polarity-Structure of AlGaN Quantum Wells: A Promising Approach for Enhancing the Ultraviolet Luminescence, Advanced Functional Materials, 2018, 第 1 作者
(4) Comparative study on luminescence extraction strategies of LED by large-scale fabrication of nanopillar and nanohole structures, Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 第 1 作者
(5) Insertion of NiO electron blocking layer in fabrication of GaN-Organic heterostructures, Japanese Journal of Applied Physics, 2018, 第 11 作者
(6) Lateral Polarity Control of III-nitride Thin Film and Application in GaN Schottky Barrier Diode, Journal of Semiconductors, 2018, 第 11 作者
(7) GaN based UV-LEDs with Ni/Au Nanomeshes as Transparent p-type Electrode, Physica Status Solidi A, 2018, 第 11 作者
(8) Tuning photonic crystal fabrication by nanosphere lithography and surface treatment of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes, Materials & Design, 2018, 第 2 作者
(9) Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays, Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
(10) Enhancing light coupling and emission efficiencies of AlGaN thin film and AlGaN/GaN Multiple Quantum Wells with periodicity-wavelength matched nanostructure array, Nanoscale, 2017, 第 1 作者
(11) Polarity Control of GaN and Realization of GaN Schottky Barrier Diode Based on Lateral-Polarity-Structure, IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 第 11 作者
   
科研项目
( 1 ) 含有反相畴的3D紫外LED界面调控及发光性能研究, 主持, 国家级, 2018-01--2020-12
( 2 ) 固态紫外光源高Al 组分结构材料的外延及产业化技术研究, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06
( 3 ) 浙江省先进微纳电子器件智能系统及应用重点实验室开放课题, 主持, 市地级, 2017-09--2018-09
参与会议
(1)Interface control and light emission investigation on UV-LEDs with inversion domain boundaries   2017-11-01
(2)Lateral polarity structures of III-nitride thin film and applications in optoelectronic/electronic devices   2017-09-24

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 楼主| 发表于 2019-10-9 17:11:44 | 显示全部楼层
2019年自然科学基金面上项目-基于三维能带调控的AlGaN基紫外LED量子限阈Stark效应研究
批准号        61974149       
学科分类        半导体发光材料与器件 ( F040301 )
项目负责人        郭炜       
依托单位        中国科学院宁波材料技术与工程研究所
资助金额        60.00万元       
项目类别        面上项目       
研究期限        2020 年 01 月 01 日 至2023 年 12 月 31 日

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