南京工业大学先进材料研究院王琳

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王琳,南京工业大学教授。2009年本科毕业于武汉大学国家级物理基地班；2013年博士毕业于香港科技大学物理专业；2014年-2017年，在瑞士日内瓦大学量子物理与物理学院担任博士后工作。2017年5月入职南京工业大学先进材料研究院，主要从事于新型二维纳米材料的电子输运和光电性质方面的研究。近5年（2013年-至今），申请人以第一/通讯作者身份发表期刊论文篇8篇（包括Nature Communications、Physical Review Letters等），参与期刊论文30余篇。论文在SCI被他引600余次，其中单篇最高他引130余次, H-index 14。以邀请报告、口头报告等身份参与了物理与材料领域学术会议20余次，2013年获得第三十届欧洲材料学会青年科学家奖和第八届青少年科技创新奖。

王琳，女。博士生导师。

出生年月： 1986年9月

联系方式

Email:  iamlwang@njtech.edu.cn

南京工业大学丁家桥教学楼327

教育背景

2005年9月-2009年6月  武汉大学               学士学位 （物理学基地班）

2009年8月-2013年8月  香港科技大学 博士学位 （物理学）

工作经历

2013年8月 – 2014年2月  香港科技大学物理系，博士后（Prof. Ning Wang’s group）

2014年3月 – 2017/05  瑞士日内瓦大学物理系，博士后（Prof. Alberto Morpurgo’s group）

研究方向

研究新型二维纳米材料中的基础物理现象和优异电学性质：通过设计、制备和测量基于二维纳米材料的微纳米级电子器件，探索新奇微观电子行为和开发高效电学性能，包括石墨烯，过渡金属硫化物，手性磁性材料, 黑磷等。先后在Nature Communications、Physical Review Letters、Advanced Materials、Nano Lettets等SCI刊物上发表学术论文30余篇，同行引用700余次，获得了第八届中国青少年科技创新奖和欧洲材料学会青年科学家等荣誉称号。

代表性论文

1. Lin Wang, Natalia Chepiga, Dong Keun Ki, et al. “Controlling the Topological Sector of Magnetic Solitons in

Exfoliated Cr1/3NbS2 Crystals”, Physical Review Letters 118, 257203 (2017).

2. Lin Wang, Ignacio Gutierrez, Céline Barreteau, Dong Keun Ki, Enrico Giannini, Alberto Morpurgo. “Direction

Observation of Long-range Field Effect from Gate-tuning Non-local Conductivity”, Physical Review Letter

117, 176601, (2016).

3. Lin Wang, Ignacio Gutierrez, Céline Barreteau, Nicolas Ubrig, Enrico Giannini, Alberto Morpurgo. “Tuning

Magnetotransport in a Compensated Semimetal at the Atomic Scale”, Nature Communications 6, 8892

(2015).

4. Lin Wang, Yang Wang, Xiaolong Chen, et al. “Negative Quantum Capacitance Induced by Midgap States in

Single-layer Graphene”; Scientific Reports, 3, 2041 (2013).

5. Lin Wang, Xiaolong Chen, Yang Wang et al. “Modification of Electronic Properties of Top-gated Graphene

Devices by Ultrathin Yttrium-oxide Dielectric Layers”; Nanoscale,5 (3), 1116 - 1120, (2013).

6. Lin Wang, Xiaolong Chen, Wei Zhu et al. “Detection of Resonant Impurities in Graphene by Quantum

Capacitance Measurement”; Physical Review B, 89, 7, 075410 (2014).

7. Xiaolong Chen, Lin Wang (共同一作), Wei Li et al. “Electron-Electron Interactions in Monolayer Graphene

Quantum Capacitors”; Nano Research,6(7), 619 (2013).

8. Xiaolong, Lin Wang (共同一作), Wei Li et al.“Negative Compressibility Observed in Graphene Containing

Resonant Impurities”; joint first author; Applied Physics Letters, 102, 203103 (2013).

9. Xiaolong Chen, Lin Wang, Yingying Wu, Zefei Wu et al.“Probing the Electronic States and Impurity Effects

in Black Phosphorus Vertical Heterostructures”; 2D Materials 3(1):015012 (2016).

10. Yuheng He, Lin Wang, Xiaolong Chen，Zefei Wu, Wei Li, Yuan Cai, and N.Wang “Modifying Electronic

Transport Properties of Graphene by Electron Beam”; Applied Physics Letters 99,033109 (2011).

11. Xiaolong Chen, Zefei Wu, Shuigang Xu, Lin Wang et al.“Probing the Electron States and Metal-Insulator

Transition Mechanisms in Molybdenum Disulphide Vertical Heterostructures”; Nature Communications, 6,

6088 (2015).

12. Xiaolong Chen, Yingying Wu, Zefei Wu, Shuigang Xu, Lin Wang et al.“High quality sandwiched black

phosphorus heterostructure and its quantum oscillations”, Nature Communications 6, 7315 (2015).

13. Wei Li, Xiaolong Chen, Lin Wang et al. “Density of States and Its Local Fluctuations Determined by

Capacitance of Strongly Disordered Graphene”; Scientific Reports, 3, 1772 (2013).

14.Wei Li, Yuheng He, Lin Wang, et al. “Electron Localization in Metal-decorated Graphene”; Physical

Review B 84,045431 (2011).

15.Yantao Shi, Chao Zhu, Lin Wang et al. “Ultrarapid Sonochemical Synthesis of ZnO Hierarchical Structures:

From Fundamental Research to High Efficiencies up to 6.42% for Quasi-solid Dye-sensitized Solar Cells”

Chemistry of Materials 25 (6), 1000–1012, (2013).

16.Yantao Shi, Chao Zhu, Lin Wang et al. “Optimizing Nanosheet-based ZnO Hierarchical Flower Structures

Through Ultrasonic-assisted Precipitation for Remarkable Photovoltaic Enhancement in Quasi-solid Dye

sensitized Solar Cells”; Journal of Materials Chemistry, 22, 13097-13103, (2012).

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报告题目：新型二维材料的量子输运和光电特性

报告人: 王琳 教授（南京工业大学先进材料研究院）

报告时间：2018年11月15日（周四）上午10:00

报告地点：武汉大学物理学院新楼五楼多功能厅

报告摘要：

    二维材料由于其丰富的材料种类和可控的量子特性，近年来受到学术界的广泛关注。本报告主要介绍以下几种新型二维材料包括巨磁阻材料WTe2，手性磁体Cr1/3NbS2，宽禁带半导体 PbI2等在电场、磁场、光场的调控作用下，展现出丰富可变的量子行为和光电特性。包括：1）分别利用磁场和电场作用研究了具有巨磁阻效应的二维层状材料碲化钨(WTe2)，发现了不同层数的WTe2丰富可调节的磁场电学行为，以及克服了电场屏蔽长度的局限从而实现了对材料内部的电学行为的宏观调控；2）将具有准粒子性的磁孤子拓扑结构扩宽到二维电子器件上，利用磁场电学输运的方式实现了对独立磁孤子的电学读取，并能够通过调节薄片厚度和磁场强度来控制磁孤子的产生或湮灭； 3）采用低温溶液法首次合成了具有规则形状和原子级别厚度的PbI2单晶薄片，探索了作为宽禁带二维半导体材料PbI2随厚度可变的光学性质，以及与MoS2、WS2、WSe2等二维材料形成不同类型的界面异质结从而展现不同的荧光特性。

报告人简介：

    2009年本科毕业于武汉大学国家级物理基地班；2013年博士毕业于香港科技大学物理专业；2014年-2017年，在瑞士日内瓦大学量子物理与物理学院担任博士后工作。2017年5月入职南京工业大学先进材料研究院，主要从事于新型二维纳米材料的电子输运和光电性质方面的研究。近5年（2013年-至今），申请人以第一/通讯作者身份发表期刊论文篇8篇（包括Nature Communications、Physical Review Letters等），参与期刊论文30余篇。论文在SCI被他引600余次，其中单篇最高他引130余次, H-index 14。以邀请报告、口头报告等身份参与了物理与材料领域学术会议20余次，2013年获得第三十届欧洲材料学会青年科学家奖和第八届青少年科技创新奖。

ganmaola

南京工业大学王琳教授课题组用溶液法合成了原子级厚度的高质量碘化铅（PbI2）纳米片，并将其与TMDs二维材料结合起来构建异质结，利用异质结界面间的能级排列，系统的研究了PbI2对不同TMDs材料光学性质的影响。结果显示原本能级结构相似的TMDs材料，在与PbI2构建异质结后，表现出了迥异的光学性质。理论与实验分析证明，MoS2与PbI2之间的能级排列属于跨立型（Type-I）半导体异质结，即PbI2中的激发态能量向MoS2层传递，使MoS2发光增强，而WS2和WSe2分别与PbI2之间形成了错开型（Type-II）半导体异质结，即WS(Se)2中的电子流向PbI2层，电子-空穴对密度减少，引起发光淬灭。这表明超薄PbI2可以通过界面能带工程，与其他二维材料构筑不同类型的异质结，从而可以极大地拓宽了功能型材料的选择范围，促进新型微纳光电器件研发与应用进程。该成果以题为“Band Structure Engineering of Interfacial Semiconductors Based on Atomically Thin Lead Iodide Crystals”发表在Advanced materials上。

本文中，作者展示了使用简单高效的溶液法可控制备出超薄层PbI2纳米片，并发现PbI2能够与二维TMDs材料构筑不同类型的异质结，对TMDs的光学性质起到不同的影响。通过界面间的能级匹配，PbI2纳米片为我们构筑功能性异质结提供了更大的自由度，从而促进微纳器件的研发与应用进程。

文献链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201806562

haotianqi

过去十年，范德华异质结由于无需要考虑晶格匹配问题，可以集成多种二维材料，展现出许多新奇的物理性能。在众多二维材料中，黑磷由于强的面内各向异性、高迁移率、厚度依赖的直接带隙等特性，在电子和光电子器件方面展现出极大应用前景。通过构筑范德华异质结，可以进一步提高黑磷的电学和光电性能。作为光电材料家族的明星成员，卤素钙钛矿如果与黑磷构筑异质结，可能会产生许多新奇的效应。然而，目前报道与黑磷形成异质结的钙钛矿多为MA+或CS+基，不属于二维钙钛矿。更重要的是，这些钙钛矿是多晶或纳米晶结构，在异质结界面处具有很多晶界。因此，非常有必要研究黑磷与二维单晶钙钛矿异质结界面的本征物理性能。
南京工业大学王琳教授、张军然副教授和中科院上海技术物理所周靖研究员构筑了一种新型的黑磷/手性钙钛矿范德华异质结。由于界面作用，黑磷的电学和光电性能得到显著提高，包括载流子迁移率、光响应、偏振特性等。例如，与单独黑磷相比，异质结中黑磷的光电探测响应率和光增益可以提高一个数量级。当利用高于钙钛矿带隙能量的激光激发时，这种现象更加明显。这是由于大量的光生载流子从钙钛矿流入黑磷，重构了电荷转移、分离和输运过程。另外，只通过单一的异质结，就可以实现集成圆偏振光和线偏振光的光电探测。

图1异质结的晶格结构、光学、AFM以及电学性能。

王琳，南京工业大学教授，博士生导师，国家高层次人才入选者。先后在武汉大学、香港科技大学、瑞士日内瓦大学从事研究工作。主要研究方向为二维光电磁信息材料的物性研究与微纳器件，探索不同二维材料中的新奇微观电子行为和优异的光电器件性能。以通讯/第一作者身份在Advanced Materials, Nature Communications, Physical Review Letters (PRL), Nano Today等国际知名期刊发表论文20余篇，共同作者身份60余篇。


文章信息
Y. Cao, C. Li, J. Deng, et al. Enhanced photodetector performance of black phosphorus by interfacing with chiral perovskite. Nano Research. https://doi.org/10.1007/s12274-022-4378-3.