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[材料资讯] 天津大学封伟:二维高质量单层三角形WS2场效应晶体管

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发表于 2018-6-28 08:30:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

单层二硫化钨(WS2)作为类石墨烯二维过渡金属硫化物(TMDCs)一员,以其强轨道自旋偶合、能带分裂和非线性高敏感性等一系列独特的性质收到了广大学者的关注。单层WS2因其较宽的直接带隙宽度、高理论电子迁移率和光致发光量子产率等特性在半导体光电子和微/纳电子器件中具有广大的应用潜力。虽然大尺寸微米级的WS2薄膜已经被报道制备出来了,但其品质并不理想;因此成功合成出大面积高质量均匀的单层WS2单晶片仍然是一个很大的挑战。

高质量高均匀性单层WS2单晶片的合成

 高质量高均匀性单层WS2单晶片的合成

天津大学材料科学与工程学院封伟教授课题组在二维原子晶体材料及其应用领域开展了一系列的研究工作(ACS Appl. Mater. Inter.,2016, 8, 19004;J. Mater. Chem. C,2017, 5, 5887-5896;Nanoscale,2018, DOI: 10.1039/C8NR03 091J)。近日,该团队又在ACS Applied Materials & Interfaces上发表了最新的研究成果:“Two-Dimensional High-Quality Monolayered Triangular WS2 Flakes for Field-Effect Transistors”。本文通过控制硫源(升华硫粉)的引入时间和钨源(三氧化钨)与生长基板之间的距离,来制备合成高均匀性的单层三角形WS2单晶片。通过透射电子显微镜和拉曼光谱来表征WS2样品的微观形貌和结构;测试结果显示,该方法所制备的三角形WS2单晶片(边长可达233μm)具有高质量的化学结构和均匀的单晶性。





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