找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

查看: 886|回复: 0

[材料资讯] 封伟Nanoscale:新型二维材料α-GeTe:具有铁离子敏感性

[复制链接]

103

主题

132

帖子

172

积分

注册会员

Rank: 2

积分
172
发表于 2018-6-6 09:10:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

自2004年石墨烯发现以来,二维材料越来越引起人们的关注,过渡金属硫族化合物(TMDs)、黑磷、硅烯、锗烯、砷烯等类石墨烯二维材料的发现极大地丰富了二维材料的种类。但是现存的这些二维材料都存在一些缺点,比如,石墨烯是零带隙的半导体材料,黑磷在空气中不能稳定存在,因此对新型二维材料的探索研究具有很大的价值。α-GeTe能够实现结晶与无定型的可逆相转变,通常作为相变存储器来研究,同时,值得注意的是α-GeTe也是一种具有层状结构的窄带隙半导体材料,载流子密度高达1021 cm-3。根据文献报道,对纳米尺度的α-GeTe已经有了一定的研究基础,但是对于α-GeTe的二维半导体性质还没有过报道,因此,对于二维α-GeTe的研究具有非常重要的价值和创新性。

α-GeTe的结晶结构图

α-GeTe的结晶结构图

  近日,天津大学材料科学与工程学院封伟教授课题组在Nanoscale上发表最新研究成果:“Sonication-Assisted Liquid-Phase Exfoliated α-GeTe: A Two-Dimensional Material with high Fe3+ Sensitivity”。本文通过理论计算的方法证明了单层α-GeTe是热力学稳定的间接带隙半导体材料,而且在紫外光区有吸收。首次通过超声辅助液相剥离法制备了少层甚至单层的α-GeTe纳米片。原子力显微镜(AFM)表征证明了液相法剥离得到的单层α-GeTe的厚度为1.6 nm,紫外吸收光谱证明了单层α-GeTe的光学带隙为1.93 eV,与理论计算值较为接近。通过荧光光谱证明了α-GeTe纳米片对铁离子具有较好的选择性,可用于铁离子的检测。该项研究是在国家重点研发项目和国家自然科学基金项目的支持下完成的。文章的第一作者是硕士研究生张盼盼同学。



  声明:本网部分文章和图片来源于网络,发布的文章仅用于材料专业知识和市场资讯的交流与分享,不用于任何商业目的。任何个人或组织若对文章版权或其内容的真实性、准确性存有疑义,请第一时间联系我们,我们将及时进行处理。
回复

使用道具 举报

小黑屋|手机版|Archiver|版权声明|一起进步网 ( 京ICP备14007691号-1

GMT+8, 2024-3-28 19:29 , Processed in 0.095623 second(s), 46 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表