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[专家学者] 厦门大学化学化工学院张洪良

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发表于 2018-3-25 16:12:51 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
张洪良厦门大学化学化工学院闽江学者特聘教授; 2003年获得山东大学光信息科学与技术专业本科学位,2008年新加坡国立大学凝聚态物理硕,2012年获英国牛津大学无机化学博士学位。2012-2017年先后任职美国西北太平洋国家实验室博士后和英国剑桥大学材料系Herchel Smith Fellow。主要从事功能氧化物半导体薄膜生长,并利用同步辐射光电子能谱技术研究其电学, 光学和催化等性质。在透明导电氧化物, 钙钛矿结构氧化物,光水分解材料等基础性质研究等方面取得了一系列重要成果,迄今在Nat. Commun.,Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc.,Adv. Mater.,等重要学术期刊发表论文90余篇。曾获得英国牛津大学Clarendon 全奖奖学金,台湾集成电路最佳国际研究生科研奖。2015年剑桥大学Herchel Smith Research Fellowship。
张洪良
办公室:化学楼589
联系电话:
更新个人信息
个人简历:
教育经历
2008-2012   英国牛津大学无机化学系博士
2005-2008    新加坡国立大学物理系硕士
1999-2003    山东大学光信息科学与技术本科

工作经历
2017-至今厦门大学教授
2015- 2016  英国剑桥大学材料系HerchelSmith Fellow (独立PI)
2012-2014    美国西北太平洋国家实验室博士后 (导师: Scott Chambers教授)         
社会任职
2015.01-至今旅英中国学人化学科学与技术学会 (CSCST-UK)副主席 2010- 2011      旅英中国学人化学科学与技术学会 (CSCST-UK)秘书长
研究兴趣:
功能氧化物材料电学, 光学, 磁学和催化性能研究及其在新型电子器件和清洁能源等领域的应用。擅长薄膜材料生长, 同步辐射光电子能谱等技术。
近期主要代表论著:
截止目前共发表SCI论文70余篇。其中包括Nat. Communications、Phys. Rev. Lett., Adv. Mater. J. Am. Chem. Soc. 及 Phys. Rev.B。
1. K. H. L. Zhang, Y. Du, O. Bierwagen,P.V. Sushko, M.E. Bowden, V. Shutthanandan, S. Sallis, L.F.J. Piper, S.A.Chambers*, “PerovskiteSr doped LaCrO3 as a new p-type transparent conductingoxide” Adv. Mater. 27, 5191 (2015)
2. K. H. L. Zhang, Y. Du, P.V. Sushko, M.E.Bowden, V. Shutthanandan, S. Sallis, L.F.J. Piper, S.A. Chambers, “Hole-inducedmetal-insulator transition in La1-xSrxCrO3 epitaxial films”Physical Review B91,155129 (2015)
3. K. H. L. Zhang, P.V. Sushko, R. Colby,Y. Du, M.E. Bowden, S.A. Chambers*, “Reversible nano-structuring of SrCrO3-δthrough oxidation and reduction at low temperatures” Nature Communications 54669 (2014)
4. K. H. L. Zhang, R.G. Egdell*, F. Offi,S. Iacobucci, L. Petaccia, S. Gorovikov, P.D.C. King, “Microscopic origin ofelectron accumulation in In2O3” Physical Review Letter, 110, 056803 (2013)
5. K. H. L. Zhang, A. Bourlange, R.G.Egdell*, S. P. Collins, R.J. Bean, I.K. Robinson, R.A. Cowley, “Sizedependentshape and tilt transitions in In2O3 nanoislands grown on cubicY-stabilisedZrO2(001) by molecular beam epitaxy”, ACS Nano, 6, 6717 (2012)


  声明:本网部分文章和图片来源于网络,发布的文章仅用于材料专业知识和市场资讯的交流与分享,不用于任何商业目的。任何个人或组织若对文章版权或其内容的真实性、准确性存有疑义,请第一时间联系我们,我们将及时进行处理。
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发表于 2018-6-7 08:21:31 | 只看该作者
《高等能源化学》课程系列
报告题目:半导体氧化物电子结构及光电转化方面的应用
报  告  人:张洪良 教授
报告地点:卢嘉锡楼202
报告时间:2018年6月6日 14:30


报告人简介:
       张洪良,厦门大学化学化工学院闽江学者特聘教授; 2003年获得山东大学光信息科学与技术专业本科学位,2008年新加坡国立大学凝聚态物理硕,2012年获英国牛津大学无机化学博士学位。2012-2017年先后任职美国西北太平洋国家实验室博士后和英国剑桥大学材料系Herchel Smith Fellow。主要从事功能氧化物半导体薄膜生长,并利用同步辐射光电子能谱技术研究其电学, 光学和催化等性质。在透明导电氧化物, 钙钛矿结构氧化物, 光水分解材料等基础性质研究等方面取得了一系列重要成果,迄今在Nat. Commun., Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc., Adv. Mater., 等重要学术期刊发表论文90余篇。曾获得英国牛津大学Clarendon 全奖奖学金,台湾集成电路最佳国际研究生科研奖。2015年剑桥大学Herchel Smith Research Fellowship。


厦门大学能源材料化学协同创新中心
化学化工学院

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发表于 2018-6-11 08:14:24 | 只看该作者
报告主题:掺杂/缺陷对金属氧化物半导体电子结构的影响及应用研究
报告嘉宾:张洪良(教授),厦门大学化学化工学院
报告时间:2018年05月30日(周三)上午10:00-11:00
报告地点:材料学院537(深圳大学西丽校区)


报告人简介:
张洪良,厦门大学化学化工学院闽江学者特聘教授; 2003年获得山东大学光信息科学与技术专业本科学位,2008年新加坡国立大学凝聚态物理硕,2012年获英国牛津大学无机化学博士学位。2012-2017年先后任职美国西北太平洋国家实验室博士后和英国剑桥大学材料系Herchel Smith Fellow。主要从事功能氧化物半导体薄膜生长,并利用同步辐射光电子能谱技术研究其电学, 光学和催化等性质。在透明导电氧化物, 钙钛矿结构氧化物,光水分解材料等基础性质研究等方面取得了一系列重要成果,迄今在Nat. Commun.,Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc.,Adv. Mater.,等重要学术期刊发表论文90余篇。曾获得英国牛津大学Clarendon 全奖奖学金,台湾集成电路最佳国际研究生科研奖。2015年剑桥大学Herchel Smith Research Fellowship。


报告主题:
金属氧化物半导体表现出丰富奇特的电学、光学、磁学等性能,在新型电子器件、光电催化等方面有着广阔的应用前景,一直是材料科学领域的研究热点。我们的研究工作主要采用分子束外延(MBE)和激光脉冲沉积(PLD)等方法制备氧化物半导体薄膜及异质结, 进而利用基于同步辐射的光电子能谱、吸收谱和第一性原理计算(合作)等深入理解所制备薄膜的表界面电子结构,确定其结构与物性之间的关联,并探索这些薄膜测量在光电子器件和光电催化方面的应用。在此次报告中,我将会利用Sn掺杂透明氧化物半导体In2O3, Sr掺杂的钙钛矿结构LaCrO3和Li掺杂的NiO作为例子来展示掺杂如何巨大地改变材料本身的电子结构, 并探讨这写功能材料在透明电子器件和光电催化等方面的潜在应用。


References
[1] Thin Film Metal-Oxides: Fundamentals and Applications in Electronics and Energy,Ramanathan, Shriram (Ed.), Springer; 2010 edition
[2] [2] K.H.L. Zhang, Y Du, L.F.J. Piper, P.V. Sushko, S.A. Chambers, et al., Adv. Mater., 27,5191 (2015).
[3] K.H.L. Zhang, M. G. Blamire, et al., Journal of Physics: Condensed Matter, 28, 383002 (2016).
[4] K.H.L. Zhang, Y Du, P.V. Sushko, S.A. Chambers, et al., Physical Review B 91, 155129 (2015).
[5] K.H.L. Zhang, PV Sushko, R Colby, Y Du, ME Bowden, SA Chambers, Nat. Comm. 5, 4669 (2014).
[6] J. Zhang, W. Li, et al. Journal of Materials Chemistry C, 6, 2275 (2018)
[7] J. Zhang, W. Luo, et al. Appl. Phys. Lett., 112, 171605 (2018)
[8] Zhang, Egdell*, King, et. al., Phys. Rev. Lett. 110, 056803 (2013)
材料学院
2018年05月28日




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发表于 2019-2-13 07:49:16 | 只看该作者
2018自然科学基金面上项目-基于过渡金属氧化物单晶薄膜的电子结构与析氧电催化活性构效关系的研究
批准号        21872116        学科分类        天然产物合成化学 ( B020404 )
负责人        张洪良        职称                单位名称        厦门大学
资助金额        65万元        项目类别        面上项目        起止年月        2019年01月01日 至 2022年12月31日

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发表于 2020-4-30 16:19:45 | 只看该作者
报告题目:氧化物半导体电子结构研究与新材料开发
报告人:张洪良教授(厦门大学化学化工学院)
报告时间:2020年4月24日  15:30
参与方式:本院学生:随会
其他听众:腾讯会议(会议号:702309884)


报告简介:
氧化物半导体由于其较宽的带隙、透明、稳定等特性,在当今蓬勃发展的平面显示、光伏、柔性透明电子器件等产业领域具有广泛应用。张洪良教授课题组的研究工作主要集中在氧化物半导体的能带结构、缺陷与掺杂行为、以及新材料的开发。在本报告中, 报告人将首先对氧化物半导体的光电性质及发展历程做简要回顾,然后介绍基于课题组对氧化铟(In2O3)电子结构的深刻认识,发现In2O3表面区域存在高迁移率的二维电子气。另一方面,大部分的氧化物半导体都是n型,P型半导体的匮乏极大制约着更新功能电子元器件的开发。限制P-型氧化物半导体的主要原因是氧化物价带顶部由强局域化的O 2p电子态构成,导致空穴有效质量大、迁移率低。本报告也将从能带调控的角度介绍通过引入过渡金属d轨道或Sn 5s2孤对电子与O 2p轨道进行杂化的策略来提高空穴迁移率,并将对当前p型氧化物半导体的研究进展进行总结和展望。


报告人简介:
厦门大学闽江特聘教授。牛津大学无机化学博士,新加坡国立大学凝聚态物理硕士,山东大学光电子科学与技术专业本科。主要从事金属氧化物薄膜外延制备,光电性质调控,以及结合同步辐射光电子能谱、X射线吸收谱和理论计算深刻认识金属氧化物的电子结构、掺杂和缺陷化学机制。在Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc., Nat. Commun., Phys. Rev. B, Adv. Mater.等发表论文100余篇。曾获台湾积体电路制造公司最佳国际研究生科研入围奖,剑桥大学Herchel Smith Research Fellowship, 牛津大学Clarendon全奖。
Email: kelvinzhang@xmu.edu.cn

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