从光伏材料分子设计的角度,通过结构修饰调控给受体间的能级差来提高器件的开路电压(Voc)是降低器件Eloss的有效方式。近年来,苏州大学李永舫院士团队的崔超华副教授等发展了运用烷硫链降低给体材料HOMO能级、提高器件Voc和PCE的分子设计策略,取得了一系列研究成果(Energy Environ. Sci. 2014, 7, 2276–2284; Adv. Mater. 2015, 27, 7469–7475; Energy Environ. Sci. 2016, 9, 885–891; Energy Environ. Sci., 2019, 12, 675–683)。最近,他们协同运用烷硫链和主链扭曲的分子设计策略,设计合成了一种基于烷硫链取代噻吩π桥的窄带隙稠环受体材料IE4F-S(如图1),取得了优异的光伏性能。结果表明:将吸电子端基通过烷硫链取代噻吩的β位连接到共轭主链,可以扭曲端基平面与共轭主链的共平面性(图2c),有效提高分子的LUMO能级;同时,噻吩π桥上烷硫链的引入可以降低分子的HOMO能级、拓宽吸收光谱、增强分子内的电荷转移。
将聚合物PTQ10作为给体材料与IE4F-S共混制备器件,尽管PTQ10和IE4F-S之间的HOMO能级差为零(如图2b),电池器件仍取得了12.20%的能量转换效率(PCE),Voc高达0.996 V,器件的Eloss仅为0.47 eV。这是目前文献报道的器件Eloss小于0.5 eV的能量转换效率最高值。结果表明给受体间HOMO能级差为零时,电池器件仍能实现高的能量转换效率。同时,将PBDB-T与IE4F-S共混制备器件,PCE高达13.72%,是目前基于PBDB-T器件的最高效率之一。
以上成果发表于Chemistry of Materials (2019, doi: 10.1021/acs.chemmater.9b01175)。论文第一作者为苏州大学材料与化学化工学部硕士生邹岩,通讯作者为崔超华副教授,该研究成果得到了国家自然科学基金项目(51873140,51603136,91633301)的资助。
论文链接:
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.chemmater.9b01175
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