存储器件构成了现代电子信息产业的基础，它们的操作原理主要集中在电气或磁性操作上，而用于信息存储和处理的光电子器件却受到的关注较少。能够捕获和沉积物质的电磁辐射并用作光激活光电子存储器件对于光通信、记录和计算的发展至关重要。用于信息存储和处理的光电子器件由于其在光学记录和计算中的重要应用而处于光通信技术的核心，然而，能够将红外数据转换并存储为电信号从而实现光学数据通信的光电子器件尚未实现。
近日，来自国家纳米科学中心江潮、何军的团队在 Science Advances发表了题为Nonvolatile infrared memory in MoS2/PbS van der Waals heterostructures的文章，该团队报告了一个使用MoS2/PbS范德瓦尔斯异质结构的红外记忆装置，其中红外脉冲激发了一个持久的电阻状态，在实验时间尺度内（超过104秒）几乎没有放松。该设备即使在断电3小时后也能完全恢复内存状态，这表明它具有非易失性存储设备的潜力。在定量分析的理论模型的支持下，他们提出光存储器和电擦除现象分别起源于PbS中红外诱导的空穴的局部化以及来自MoS2到PbS的电子脉冲增强隧道效应。基于MoS2异质结构的存储器件为光电子红外存储器和可编程逻辑器件开辟了一个新的领域。
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