标题: β-FeSi2基热电材料的制备及性能 [打印本页]

作者: wind003    时间: 2015-11-2 08:40
标题: β-FeSi2基热电材料的制备及性能
热电材料是一种性能优越,具有广泛应用前景的环境友好型材料。β-FeSi2热电材料因其具有高的Seebeck系数、成本低、原料丰富、环境友好等优点,成为一种非常有前景的半导体热电材料。 采用机械合金化结合热处理法制备了β-FeSi2热电材料,并合成了Co、Mn掺杂的β-FeSi2基热电材料;利用XRD、SEM、热电性能等表征测试手段,对球磨工艺、热处理工艺、掺杂元素、材料热电性能等进行了系统研究;采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对掺杂引起的β-FeSi2的电子结构变化进行详细的计算研究,在理论上验证了掺杂引起的热电性能变化规律。 分析得出最佳制备工艺为:将球料比为 80:1,Si/Fe原子比为2.5:1,球磨20h后的合金粉压片成型,在氩气保护下于 1250℃烧结3h,800℃退火20h后可制备得相结构稳定的β-FeSi2基热电材料。 对β-FeSi2基热电材料性能的研究表明:掺杂能够有效提高β-FeSi2的热电性能;通过Co 掺杂发现,试样为n型半导体,Fe1-xCoxSi2在x=0.03,873K时,试样的功率因子达到最大值为60 μWm-1K-2;Mn元素的掺杂属于p 型掺杂,Fe1-xMnxSi2在x=0.08,873K时,试样的功率因子达到最大值为32 μWm-1K-2。 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法β-FeSi2 的电子结构及其各元素亚层电子的能态密度。β-FeSi2的电子能态密度主要由Fe的3d电子和Si 的2p电子的能态密度确定;其次通过计算不同掺杂位置的系统总能量,确定掺杂原子在β-FeSi2 中的置换位置,在β-FeSi2中Co 置换 FeⅡ位置的Fe原子、Mn置换 FeⅠ位置的Fe原子,这种择位置换与现有的计算结果完全一致;最后计算了 Fe1-xCoxSi2 和Fe1-xMnxSi2的电子结构,对它们的电子结构特征进行了分析,发现掺杂后电子的有效质量增加,费米能级附近的电子运动速度和浓度都将增加,电导率随之增加;费米面附近电子结构的复杂程度增加,所以掺杂后β-FeSi2的塞贝克系数也会增加。





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