专业提供FIB，TEM，SEM服务

上海纳瑞科技

纳瑞科技（北京）有限公司(Ion Beam Technology Co.，Ltd.)成立于2006年，是由在聚焦离子束（扫描离子显微镜）应用技术领域有多年经验的技术骨干创立而成。
我们为集成电路设计和制造工业，光电子工业，纳米材料研究领域提供一流的分技术服务。我们特别专注于离子束应用技术在 IC芯片修改以及失效分析领域的技术应用及拓展。利用我们的技术背景与团队，公司致力于为IC 设计,制造客户提供世界水平的分析技术服务。
FIB（聚焦离子束，Focused Ion beam)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。以线路修补和布局验证这一类的工作具有最大经济效益，局部的线路修改可省略重作光罩和初次试作的研发成本，这样的运作模式对缩短研发到量产的时程绝对有效，同时节省大量研发费用。
FIB技术的在芯片设计及加工过程中的应用介绍：
1.IC芯片电路修改
  用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。 若芯片部份区域有问题,可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结。FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。
2.剖面制备观察
  制备相应的器件剖面，找到异常原因。一款器件的开发测试中总会遇到实际结果与设计指标的偏差（器件测试后的失效，逻辑功能的异常等等）。
3.诱导沉积材料
  可对器件电路进行相应的修改，更改电路功能。利用电子束或离子束将金属有机气体化合物分解，从而可在样品的特定区域进行材料沉积（材料有：SiO2、Pt、W。沉积的图形有点阵，直线等）；
4.透射（TEM）制样
  制成透射电镜样品，传统的制备TEM样品的方法是机械切片研磨，用这种方法只能分析大面积样品。聚焦离子束则可以对样品的某一局部切片进行观察。与切割横截面的方法一样。
5.原位电性能测试
  芯片电路测试，微操纵仪具有纳米级的步进精度，驱动模式分为精调模式和粗调模式各三档，可独立加载三路电压。

如有需求您有FIB，TEM，SEM服需求可以随时联系我们，下面是我们的联系方式：
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