南昌大学江风益：硅基黄光LED技术达世界领先水平

xiangtian

7月12日，2019世界半导体照明产业发展论坛暨南昌临空经济区光电产业招商推介会在南昌举行。活动中，来自国内外LED领域的权威专家、30多个国家和地区的采购商、设计师代表，以及国内100多家半导体照明产业领军企业的负责人汇聚一堂，共话世界半导体照明产业发展的新趋势、新动力。

此次论坛由南昌市政府、省工业和信息化厅主办，南昌临空经济区、中国照明电器协会承办。活动中，围绕“挖掘半导体照明产业发展新动力”这一论坛主题，与会的重量级嘉宾——诺贝尔物理学奖获得者、蓝光LED发明人中村修二教授，中国工程院院士陈良惠研究员分别作了《蓝光LED的发明和固态照明的未来》和《中国半导体照明产业的发展》的主题报告。

南昌大学副校长江风益教授也以《南昌LED产业发展情况简介》为题，介绍了硅基LED技术的最新发展。各方嘉宾还进一步围绕“中国LED企业全球化的机遇与挑战”“半导体照明产业发展新动力”等话题，开展了高峰对话，使论坛突显出国际性、前瞻性、高端性、专业性和联动性。尤其引人关注的是，此次论坛期间，中村修二先生多次公开评价：由江风益教授团队研发的硅基黄光LED，经过双方比对测试，数据一致；诞生于南昌的硅基黄光LED技术，已达到了世界领先水平；并向江风益教授表示祝贺。
据了解，作为国内最早从事LED研发和生产的地区之一，南昌已形成从核心材料、核心装备、上游芯片、中游封装，到下游应用的完整产业链，并出台一系列政策措施，推动LED产业快速发展。承办此次论坛的南昌临空经济区负责人表示：“通过论坛的举办，将进一步加强中国与全球市场的交流合作，促进全球半导体照明产业技术创新，推动南昌临空经济区、南昌市乃至我省LED产业的发展。”


江风益教授，1963年生，2015年国家技术发明一等奖获得者，南昌大学副校长、国家硅基LED工程技术研究中心主任、国家863计划半导体照明工程重大专项专家组副组长、科技部半导体照明技术创新团队带头人、教育部半导体照明技术创新团队带头人、中组部、中宣部、人事部和科技部联合授予全国杰出专业技术人才称号。江风益教授先后从事过10余种半导体发光材料与器件的研究开发工作，主持并完成了国家863计划重大专项、电子发展基金项目、江西省重点重大科技项目等20余项项目。代表性成果为“硅衬底氮化镓基LED材料生长与芯片制造技术”， 在第一代半导体硅材料上，成功地制备了高质量的第三代半导体GaN材料，成功研制硅衬底垂直结构的GaN蓝光/绿光LED芯片，并在国际上率先实现了这一新技术产品的批量生产。这一技术使国家在半导体照明技术领域从跟踪走向了跨越， 2015年，硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管技术获得国家技术发明奖中唯一一等奖。江风益教授授权发明专利40多项。发表SCI/EI论文50余篇，SCI他引400多次。
1980年09月－1984年07月 吉林大学物理系原子核物理专业大学本科
1984年07月－1987年08月 江西工业大学基础课部物理教研室助教
1987年09月－1989年12月 中科院长春物理所固体发光专业研究生
1990年01月－1992年05月 江西工业大学基础课部物理教研室讲师
1992年05月－1995年04月 南昌大学材料科学研究所副教授
1995年05月－2001年05月 南昌大学材料科学研究所教授
2001年06月－2014年12月 教育部发光材料与器件工程研究中心主任
2007年01月－2015年12月 863计划半导体照明专项总体专家组成员
2008年01月－至今 教育部“半导体照明技术”创新团队带头人
2008年09月－至今 南昌大学党委委员、副校长
2011年01月－至今 国家硅基LED工程技术研究中心主任

2012年04月－至今 科技部“半导体照明技术”重点领域创新团队带头人


中村修二（Shuji Nakamura），1954年5月22日出生于日本伊方町，毕业于日本德岛大学，日裔美籍电子工程学家，美国加州大学圣塔芭芭拉分校工程学院材料系教授  。中村修二于1993年在日本日亚化学工业株式会社(Nichia Corporation)就职期间，基于GaN开发了高亮度蓝色LED，从而广为人知。当时，开发一种蓝色LED被认为是不可能的，此前的20年间只有红色和绿色LED。
2014年10月7日，赤崎勇、天野浩和中村修二因发明“高效蓝色发光二极管”而获得2014年诺贝尔物理学奖
2016年9月15日，受聘中国矿业大学名誉教授。
2017年12月6日，受聘为四川师范大学荣誉教授 。

2018年10月12日，受聘为西北工业大学名誉教授。