找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

查看: 975|回复: 0
打印 上一主题 下一主题

[专家学者] 西安交通大学材料学院方华靖

[复制链接]

11

主题

19

帖子

21

积分

新手上路

Rank: 1

积分
21
跳转到指定楼层
楼主
发表于 2019-5-31 09:03:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
方华靖,西安交通大学讲师。主要研究方向包括:压电铁电材料的新型应用;能源收集与自驱动微纳电子系统;光电功能材料与器件。


姓 名:        方华靖
个人主页:        http://gr.xjtu.edu.cn/web/fanghj
E-MAIL:        fanghj@xjtu.edu.cn
专业方向:        功能材料与器件
个人详情


工作经历
2013年9月~2015年2月 香港理工大学应用物理学系 研究助理
2017年7月~至今 西安交通大学材料学院 讲师


科研项目
2017年度“博新计划”
中国博士后科学基金第62批面上项目一等资助


学术成果
9. Xia Z G,† Fang H J,† Zhang X W, et al. CsCu5Se3: A copper-rich ternary chalcogenide semiconductor with nearly direct band gap for photovoltaic application. Chem. Mater., 2018, DOI: 10.1021/acs.chemmater.7b05104. (Co-first author)
8. Fang H J, Li J W, Ding J, et al. An origami perovskite photodetector with spatial recognition ability. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2017, 9:10921-10928. (Highlighted by Polymer-science)
7. Fang H J,† Wang X D,† Li Q, et al. A stretchable nanogenerator with electric/light dual-mode energy conversion. Adv. Energy Mater., 2016, 6:1600829. (Co-first author, highlighted by X-MOL)
6. Fang H J, Tian H, Li J, et al. Self-powered flat panel displays enabled by motion-driven alternating current electroluminescence. Nano Energy, 2016, 20:48-56.
5. Fang H J, Xu C, Ding J, et al. Self-powered ultra-broadband photodetector monolithically integrated on a PMN-PT ferroelectric single crystal. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2016, 8:32934-32939.
4. Fang H J, Li Q, Ding J, et al. Self-powered organolead halide perovskite single crystal photodetector driven by a DVD-based triboelectric nanogenerator. J. Mater. Chem. C, 2016, 4:630-636. (Backcover, ESI highly cited paper)
3. Fang H J, Yan Q F, Geng C, et al. Facile fabrication of highly ordered poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) nanodot arrays for organic ferroelectric memory. J. Appl. Phys., 2016, 119:014104.
2. Fang H J, Li Q, He W H, et al. A high performance triboelectric nanogenerator for self-powered non-volatile ferroelectric transistor memory. Nanoscale, 2015, 7:17306-17311. (Backcover)  
1. Fang H J, Lin Z Y, Wang X S, et al. Infrared light gated MoS2 field effect transistor. Opt. Express, 2015, 23:31908-31914.

  声明:本网部分文章和图片来源于网络,发布的文章仅用于材料专业知识和市场资讯的交流与分享,不用于任何商业目的。任何个人或组织若对文章版权或其内容的真实性、准确性存有疑义,请第一时间联系我们,我们将及时进行处理。
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友
收藏收藏 转播转播 分享分享 分享淘帖
回复

使用道具 举报

小黑屋|手机版|Archiver|版权声明|一起进步网 ( 京ICP备14007691号-1

GMT+8, 2024-4-25 21:25 , Processed in 0.184527 second(s), 37 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表